[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201811562995.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110085715A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 尹柱宪;金台勋;沈载仁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明电极层 通孔 半导体发光器件 绝缘反射层 第二区域 第一区域 堆叠方向 导电类型半导体层 导电型半导体层 第一导电类型 反射电极层 半导体层 发光结构 堆叠 源层 覆盖 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔；
绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和
反射电极层，其在所述绝缘反射层的第一区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔中的每个第一通孔大于所述多个第二通孔中的每个第二通孔。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘反射层形成分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替堆叠。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘反射层和所述反射电极层形成全向反射器。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一通孔填充有所述绝缘反射层。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二通孔填充有所述反射电极层。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔和所述多个第二通孔以预定间隔彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔的总面积大于所述多个第二通孔的总面积。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构具有被蚀刻的区域，在所述被蚀刻的区域中去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层，并且所述绝缘反射层延伸到所述被蚀刻的区域。
10.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔；
第一绝缘反射层，其穿过所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层，并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和
反射电极层，其覆盖所述第一绝缘反射层并且通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，还包括第二绝缘反射层，其覆盖所述反射电极层并与所述第一绝缘反射层接触。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案和所述第二导电图案在所述第二绝缘反射层上并且穿过所述第二绝缘反射层分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层形成分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替堆叠。
14.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘反射层和所述反射电极层形成全向反射器。
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