[发明专利]半导体发光器件在审

专利信息
申请号: 201811562995.5 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN110085715A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 尹柱宪;金台勋;沈载仁 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 透明电极层 通孔 半导体发光器件 绝缘反射层 第二区域 第一区域 堆叠方向 导电类型半导体层 导电型半导体层 第一导电类型 反射电极层 半导体层 发光结构 堆叠 源层 覆盖
【说明书】:

一种半导体发光器件,包括:发光结构,其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔;和反射电极层,其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。

相关申请的交叉引用

2018年1月26日向韩国知识产权局提交的题为“半导体发光器件”的韩国专利申请No.10-2018-0010192通过引用方式全文并入本文中。

技术领域

实施例涉及半导体发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)(其中包含发光材料以发光的器件)将由于电子和空穴的复合而产生的能量转换成从其发射的光。这种LED广泛应用于照明元件、显示器件和光源。

发明内容

根据实施例,一种半导体发光器件包括:发光结构,其具有在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔;和反射电极层,其设置在所述绝缘反射层的一个区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。

根据实施例,一种半导体发光器件包括:发光结构,其具有在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;第一绝缘反射层,其穿过所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层,并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔;和反射电极层,其覆盖所述第一绝缘反射层并且通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。

根据实施例,一种半导体发光器件包括:衬底;发光结构,其具有在所述衬底上堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;第一绝缘反射层,其穿透所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层,并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔;反射电极层,其覆盖所述第一绝缘反射层并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层;第二绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层和所述反射电极层;和第一导电图案和第二导电图案,它们设置在所述第二绝缘反射层上并且穿过所述第二绝缘反射层分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员将变得显而易见,其中:

图1示出了根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图;

图2示出了图1的部分A1的放大视图;

图3示出了沿线I-I'截取的图1的半导体发光器件的侧截面图;

图4示出了根据示例性实施例的半导体发光器件的电流扩散效应的视图;

图5示出了如下的视图,该视图示出根据示例性实施例的增强半导体发光器件的外部光提取的效果;

图6示出了另一个实施例;

图7至图20示出了制造图1的半导体发光器件的方法中的各阶段的视图;和

图21示出了将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于半导体发光器件封装件的示例的侧截面图。

具体实施方式

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