[发明专利]一种改变离子束方向的装置

说明书

本发明公开了一种改变离子束方向的装置及方法，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。本发明极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求，在金属整体表面均匀设置球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。

技术领域

本发明涉及半导体加工制造领域，具体为一种改变离子束方向的装置。

背景技术

在芯片制造加工过程中，芯片表面需要进行离子束处理，离子束在最中间能量是均匀分布的，但是在边缘处离子束会分散出现不规则运动状况，能量分布不均匀，导致产品的边缘处表面分布不够理想，并且表面由离子撞击的产生的副产品吸附力较差，影响到工艺精度，使用周期，减弱产品的实际使用效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改变离子束方向的装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改变离子束方向的装置，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。

优选的，金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。

优选的，离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。

一种改变离子束方向的方法，其操作步骤包括：

S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；

S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；

S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；

S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；

S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；

S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求。

2.本发明金属整体表面均匀分布的球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。

附图说明

图1为本发明原理示意图1；

图2为本发明金属整体的结构示意图；

图3为本发明的原理框图；

图4为本发明原理示意图2。

具体实施方式