[发明专利]Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201811565337.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671622A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李嘉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温预处理 制备 薄膜晶体管 刻蚀金属 阵列基板 玻璃基板 光阻图形 尖端放电 金属图形 沉积 放热 刻蚀 良率 制程 试验 生产 | ||
1.一种Cu膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在玻璃基板上沉积形成Cu膜；
在所述Cu膜之上形成光阻图形；
对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；
对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，所述高温预处理的温度为150℃～300℃。
2.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉积形成Cu膜的步骤，包括：
采用物理气相沉积工艺在玻璃基板上沉积形成Cu膜。
3.根据权利要求2所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述Cu膜厚度为1000～4000埃。
4.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形的步骤包括：
利用干法刻蚀和湿法刻蚀结合对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形。
5.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述高温预处理的温度为160℃～270℃。
6.根据权利要求5所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述高温预处理的温度为190℃。
7.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述高温预处理的时间为2min～120min。
8.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述高温预处理的环境为真空、大气或N2的加热环境。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括利用如权利要求1～8中任一项所述Cu膜的制备方法制备栅极金属层或源漏极金属层的步骤。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法制备薄膜晶体管的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
