[发明专利]Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201811565337.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671622A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李嘉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温预处理 制备 薄膜晶体管 刻蚀金属 阵列基板 玻璃基板 光阻图形 尖端放电 金属图形 沉积 放热 刻蚀 良率 制程 试验 生产 | ||
本发明实施例公开了一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法。该Cu膜的制备方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在Cu膜之上形成光阻图形；对Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，该高温预处理的温度为150℃～300℃。本发明实施例中利用试验推论得出Cu吸放热理论，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法。
背景技术
现今科技蓬勃发展，信息商品种类推陈出新，满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，由于其体积庞大与耗电量大，而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言，有危害身体的问题。因此，现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)取代旧有的CRT显示器，而随着尺寸不停的做大，电极导线的延迟成了急需解决的问题，Cu导线的开发应运而生，但Cu导线因氧化及刻蚀问题，导致薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)良率不高。
发明内容
本发明实施例提供一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种Cu膜的制备方法，所述方法包括：
在玻璃基板上沉积形成Cu膜；
在所述Cu膜之上形成光阻图形；
对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；
对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，所述高温预处理的温度为150℃～300℃。
进一步的，所述在玻璃基板上沉积形成Cu膜的步骤，包括：
采用物理气相沉积工艺在玻璃基板上沉积形成Cu膜。
进一步的，所述Cu膜厚度为1000～4000埃。
进一步的，所述对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形的步骤包括：
利用干法刻蚀和湿法刻蚀结合对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形。
进一步的，所述高温预处理的温度为160℃～270℃。
进一步的，所述高温预处理的温度为190℃。
进一步的，所述高温预处理的时间为2min～120min。
进一步的，所述高温预处理的环境为真空、大气或N2的加热环境。
第二方面，本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括利用如第一方面中任一项所述Cu膜的制备方法制备栅极金属层或源漏极金属层的步骤。
第三方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法，包括如第二方面所述的薄膜晶体管的制备方法制备薄膜晶体管的步骤。
本发明实施例方法通过在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在Cu膜之上形成光阻图形；对Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，该高温预处理的温度为150℃～300℃。本发明实施例中利用试验推论得出Cu吸放热理论，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。
附图说明
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
