[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811569024.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110323275A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;陈奎铭;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道层 带隙 阻挡层 半导体结构 上区域 下区域 | ||
1.一种半导体结构，其包括：
p型掺杂III-V族化合物层；
III-V族化合物沟道层，其位于所述p型掺杂III-V族化合物层上方，所述III-V族化合物层包括上区域及下区域；及
阻挡层，其夹于所述III-V族化合物沟道层的所述上区域与所述下区域之间，
其中所述III-V族化合物沟道层的所述上区域及所述下区域包括第一带隙，所述阻挡层包括第二带隙，且所述第二带隙大于所述第一带隙。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述阻挡层包括氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化硼(BN)或氧化铝(Al2O3)。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中AlGaN包括化学式AlXGaN，其中x在约0.3至约0.9的范围内。
4.一种半导体结构，其包括：
III-V族化合物层，其包括第一区域、第二区域及第三区域，且所述第二区域夹于所述第一区域与所述第三区域之间；
第一阻挡层，其夹于所述第一区域与所述第二区域之间；
第二阻挡层，其夹于所述第二区域与所述第三区域之间；及
作用层，其位于所述III-V族化合物层上方；
其中所述III-V族化合物层包括第一带隙，所述第一阻挡层包括第二带隙，所述第二阻挡层包括第三带隙，且所述第二带隙及所述第三带隙大于所述第一带隙。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一阻挡层及所述第二阻挡层分别包括氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化硼(BN)或氧化铝(AlO)。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一阻挡层及所述第二阻挡层包括相同材料。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一阻挡层及所述第二阻挡层包括不同材料。
8.一种半导体结构，其包括：
p型掺杂III-V族化合物层；
III-V族化合物沟道层，其位于所述p型掺杂III-V族化合物层上方；
第一阻挡层，其夹于所述p型掺杂III-V族化合物层与所述III-V族化合物沟道层之间；及
第二阻挡层，其夹于所述第一阻挡层与所述III-V族化合物沟道层之间，
其中所述III-V族化合物沟道层包括第一带隙，所述第一阻挡层包括第二带隙，所述第二阻挡层包括第三带隙，所述第二带隙及所述第三带隙大于所述第一带隙，且所述第二带隙不同于所述第三带隙。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述第一阻挡层的厚度大于所述第二阻挡层的厚度。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其进一步包括第三阻挡层，其中所述第一阻挡层夹于所述第二阻挡层与所述第三阻挡层之间，且所述第一阻挡层、所述第二阻挡层及所述第三阻挡层夹于所述p型掺杂III-V族化合物层与所述III-V族化合物沟道层之间。
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