[发明专利]一种反激电路及反激复位方法有效
申请号: | 201811569806.7 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111355377B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 陈睿;赵洪利;张福亮;赵振江 | 申请(专利权)人: | 航天科工惯性技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100074 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 复位 方法 | ||
1.一种反激电路,其特征在于,包括变压器、电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路;
所述变压器包括初级侧和次级侧,所述电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路与所述变压器的初级侧连接;
所述控制电路用于控制所述第一开关管和第二开关管的通断,使得所述初级侧和电感存储能量并向所述次级侧释放,同时对所述变压器的磁芯进行复位;
所述电感的一端用于连接外部电源,另一端与所述初级侧的一端连接;
所述第一电容的一端与所述初级侧的另一端连接,所述第一电容的另一端与所述第一开关管的漏极连接,所述第一开关管的源极接地;
所述第二开关管的漏极与所述初级侧的另一端连接,第二开关管的源极接地;
所述第二开关管为P沟道MOSFET;
所述控制电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第二电容、第三电容、第四电容、三极管以及二极管;
所述第一电阻的一端、第二电阻的一端以及第二电容的一端与所述第一开关管的栅极连接,第一电阻的另一端用于外接外部电源,第二电阻的另一端与所述三极管的基极连接,所述第二电容的另一端接地;
所述三极管的集电极用于外接外部电源,所述第三电阻的两端分别与所述三极管的发射极和集电极连接,所述三极管的发射极与所述第三电容的一端连接,第三电容的另一端用于连接所述第二开关管的栅极;
所述二极管的正极用于连接第二开关管的栅极,负极接地;
所述第四电容的一端与所述三极管的发射极连接,另一端接地。
2.一种反激复位方法,其特征在于,应用于如权利要求1所述的反激电路,所述方法包括:
通过所述控制电路,维持所述第一开关管开通、第二开关管关断,使得所述电感和所述初级侧存储能量;
到达第一时刻时,关断所述第一开关管,并维持第一预设时长,使得所述电感和所述初级侧存储的能量向次级侧释放;
第一预设时长结束后,开通所述第二开关管,并维持第二预设时长,使得所述变压器的磁芯复位;
第二预设时长结束后,关断所述第二开关管,开通所述第一开关管;
第二预设时长结束后,第二开关管的关断早于第一开关管的开通。
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