[发明专利]一种反激电路及反激复位方法

说明书

本发明提供了一种反激电路及反激复位方法，其中反激电路包括变压器、电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路；变压器包括初级侧和次级侧，所述电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路与所述变压器的初级侧连接；控制电路用于控制所述第一开关管和第二开关管的通断，使得所述初级侧和电感存储能量并向所述次级侧释放，同时对所述变压器的磁芯进行复位；在初级使用同步整流可以工作在DCM模式或CCM模式，电路决定的固定时序死区避免了复杂的控制，同时可以和上箝位一样将漏感能量传递至次级侧，大幅简化电路设计，能够有效提高功率密度。

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种反激电路及反激复位方法。

背景技术

反激电路中，变压器初级侧绕组必定由漏感和初级电感组成，在不做处理的情况下，漏感能量不能传递到次级，且通常占初级电感量的 1.5％-10％，即反激电源固定有1.5％-10％的效率损耗。

为了利用漏感能量，现行比较先进的方式是上箝位的有源箝位复位电路，将漏感能量在初级MOSFET关断时间内存储，并复位磁芯，存储的能量在初级MOSFET开通后，向次级释放。但问题是上箝位为了提供高效转换，在使用次级同步整流时，要求反激电路工作在DCM模式，箝位MOSEFT和初级MOSFET都关断时，箝位能量向次级传递，且上箝位MOSFET需要浮地驱动，容易受到干扰，虽然效率提高，但由于DCM需要初级MOSFET较高的耐电流能力和大磁芯，无法增大功率密度。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术中的上箝位的有源箝位复位电路容易受到干扰，无法增大功率密度的问题，提出一种反激电路及反激复位方法，能够有效提高功率密度。

一种反激电路，包括变压器、电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路；

所述变压器包括初级侧和次级侧，所述电感、第一开关管、第二开关管、第一电容以及控制电路与所述变压器的初级侧连接；

所述控制电路用于控制所述第一开关管和第二开关管的通断，使得所述初级侧和电感存储能量并向所述次级侧释放，同时对所述变压器的磁芯进行复位。

进一步地，所述电感的一端用于连接外部电源，另一端与所述初级侧的一端连接；

所述第一电容的一端与所述初级侧的另一端连接，所述第一电容的另一端与所述第一开关管的漏极连接，所述第一开关管的源极接地；

所述第二开关管的漏极与所述初级侧的另一端连接，第二开关管的源极接地。

进一步地，所述第二开关管为P沟道MOSFET。

进一步地，所述控制电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第二电容、第三电容、第四电容、三极管以及二极管；

所述第一电阻的一端、第二电阻的一端以及第二电容的一端与所述第一开关管的栅极连接，第一电阻的另一端用于外接外部电源，第二电阻的另一端与所述三极管的基极连接，所述第二电容的另一端接地；

所述三极管的集电极用于外接外部电源，所述第三电阻的两端分别与所述三极管的发射极和集电极连接，所述三极管的发射极与所述第三电容的一端连接，第三电容的另一端用于连接所述第二开关管的栅极；

所述二极管的正极用于连接第二开关管的栅极，负极接地；

所述第四电容的一端与所述三极管的发射极连接，另一端接地。

一种反激复位方法，应用于上述的反激电路，所述方法包括：

通过所述控制电路，维持所述第一开关管开通、第二开关管关断，使得所述电感和所述初级侧存储能量；

到达第一时刻时，关断所述第一开关管，并维持第一预设时长，使得所述电感和所述初级侧存储的能量向次级侧释放；