[发明专利]晶体管布置及其生产方法

权利要求书

1.一种晶体管布置，包括：

层堆叠，其具有第一掺杂类型的多个第一半导体层（110）和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层（120）；

第一晶体管器件（M1）的第一源区（13），其邻接多个第一半导体层（110）；

第一晶体管器件（M1）的第一漏区（15），其邻接多个第二半导体层（120）并在第一方向上与第一源区（13）间隔开；

第一晶体管器件（M1）的多个栅区（14），其中多个栅区（14）中的每个邻接多个第二半导体层（120）中的至少一个，被布置在第一源区（13）和第一漏区（15）之间，并与第一源区（13）和第一漏区（15）间隔开；

第三半导体层（130），其邻接层堆叠（110，120）和第一源区（13）、第一漏区（15）及栅区（14）中的每个；以及

第二晶体管器件（M2）的有源区，其在与第三半导体层（130）的第一区（131）间隔开的第二区（132）中集成在第三半导体层（130）中，

其中第一区（131）以第一源区（13）和第一漏区（15）为边界并且具有第二掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的晶体管布置，其中第三半导体层（130）的第一区（131）的掺杂浓度低于多个第二半导体层（120）的掺杂浓度。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管布置，其中第三半导体层（130）的第二区（132）的掺杂浓度高于第一区（131）的掺杂浓度。

4.根据前述权利要求中一项所述的晶体管布置，其中第三半导体层（130）的厚度是单个一个第一半导体层（110）或单个一个第二半导体层（120）的厚度的至少二倍。

5.根据前述权利要求中一项所述的晶体管布置，其中第三半导体层（130）的厚度大于第一源区（13）和每个栅区（14）之间的距离。

6.根据权利要求1至5中一项所述的晶体管布置，其中第一半导体层（110）和第二半导体层（120）平行于第三半导体层（130）。

7.根据权利要求1至5中一项所述的晶体管布置，其中第一半导体层（110）和第二半导体层（120）垂直于第三半导体层（130）。

8.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管布置，

其中第二晶体管器件（M2）的有源区包括：

第一掺杂类型的第二源区（21）；

第一掺杂类型的第二漏区（23），其与第二源区（21）间隔开；以及

第二掺杂类型的本体区（22），其邻接第二源区（22）并被布置在第二源区（21）和第二漏区（23）之间，

并且其中第二晶体管器件还包括栅电极（24），所述栅电极（24）邻近本体区（22）并通过栅介电体（25）而与本体区（22）介电绝缘。

9.根据权利要求8所述的晶体管布置，其中第二晶体管器件还包括：

第一掺杂类型的漂移区（27），其被布置在本体区（22）和第二漏区（23）之间。

10.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管布置，还包括：

第二掺杂类型的连接区（26），其中连接区（26）邻接每个第二半导体层（120）并连接到第二晶体管器件的源节点（S2）。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的晶体管布置，其中第二源区（21）电气连接到每个栅区（14）。

12.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管布置，其中第一源区（13）在层堆叠的水平面中围绕第一漏区（15）形成环。

13.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管布置，还包括载体，

其中层堆叠（110，120）被布置在载体的顶部上。