[发明专利]晶体管布置及其生产方法

说明书

公开晶体管布置及其生产方法。晶体管布置包括：层堆叠，具有第一掺杂类型的多个第一半导体层（110）和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层（120）；第一晶体管器件（M1）的第一源区（13），邻接多个第一半导体层（110）；第一晶体管器件（M1）的第一漏区（15），邻接多个第二半导体层（120）并在第一方向与第一源区（13）间隔开；第一晶体管器件（M1）的多个栅区（14），多个栅区（14）中每个邻接多个第二半导体层（120）中至少一个，布置在第一源区（13）和第一漏区（15）之间，并与第一源区（13）和第一漏区（15）间隔开；第三半导体层（130），邻接层堆叠（110，120）和第一源区（13）、第一漏区（15）及栅区（14）中每个；和第二晶体管器件（M2）的有源区，集成在第三半导体层（130）中。

技术领域

本公开总地涉及晶体管布置，具体涉及具有横向超结晶体管器件和另外的晶体管器件的晶体管布置。

背景技术

在具有横向超结晶体管器件和另外的晶体管器件的晶体管布置中，超结晶体管器件可以实现为耗尽型器件，另外的晶体管器件可以实现为增强型或耗尽型器件，并且可以连接这两个晶体管器件使得另外的晶体管器件控制超结晶体管器件，使得由另外的晶体管器件来控制超结晶体管器件开启和关断。

在该类型的晶体管布置中，广泛地独立于超结晶体管器件的设计来设计另外的晶体管器件是合期望的。

发明内容

一个示例涉及一种晶体管布置。所述晶体管布置包括层堆叠，所述层堆叠具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层；第一晶体管器件的第一源区，其邻接多个第一半导体层；第一晶体管器件的第一漏区，其邻接多个第二半导体层并在第一方向上与第一源区间隔开；以及第一晶体管器件的多个栅区。多个栅区中的每个邻接多个第二半导体层中的至少一个，被布置在第一源区和第一漏区之间，并与第一源区和第一漏区间隔开。第三半导体层邻接层堆叠以及第一源区、第一漏区和栅区中的每个。此外，第二晶体管器件的有源区在与第一区间隔开的第二区中集成在第三半导体层中，其中第一区以第一源区和第一漏区为边界。第三半导体层的第一区具有第二掺杂类型。

另一个示例涉及一种方法。所述方法包括在载体的顶部上形成半导体本体，其中半导体本体包括层堆叠和在层堆叠的顶部上的第三层，所述层堆叠具有第一掺杂类型的多个第一层和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二层。所述方法还包括形成第一晶体管器件的第一源区使得第一源区邻接多个第一半导体层，形成第一晶体管器件的第一漏区使得第一漏区邻接多个第一半导体层并在第一方向上与第一源区间隔开。所述方法还包括形成第一晶体管器件的多个栅区，使得多个栅区中的每个邻接多个第二半导体层中的至少一个，被布置在第一源区和第一漏区之间，并与第一源区和第一漏区间隔开；以及在第三层的第二区中形成第二晶体管器件的有源区，其中第二区与第一区间隔开，其中第一区以第一源区和第一漏区为边界。

附图说明

下面参考附图解释示例。附图用于图示某些原理，使得仅图示了对于理解这些原理必要的方面。附图未按比例。在附图中，相同的参考字符标示同样的特征。

图1A-1C示意性地图示了晶体管布置的透视截面视图（图1A）、垂直横截面视图（图1B）和水平横截面视图（图1C），所述晶体管布置包括集成在一个半导体本体中的第一晶体管器件和第二晶体管器件；

图2A-2D示出了等同电路图，所述等同电路图图示了可以如何连接图1A-1C中所示出类型的晶体管布置中的第一晶体管器件和第二晶体管器件；

图3A-3B图示了第二晶体管器件的一个示例；

图4、5和6A-6B图示了第二晶体管器件的另外的示例；

图7A-7C示出了根据另一个示例的具有第一晶体管器件和第二晶体管器件的晶体管布置的垂直横截面视图（图7A和7B）和水平横截面视图（图7C）；