[发明专利]半导体器件以及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在临时基板上接收一结构，所述结构包括：

插入件，所述插入件包括：

导电层；以及

介电层；

半导体管芯，耦接至所述插入件的第一侧，所述半导体管芯包括多个导电凸块；以及

封装材料，覆盖所述半导体管芯的第一侧，覆盖所述插入件的所述第一侧，并且横向包围所述半导体管芯；

使所述封装材料变薄；并且

将多个导电互连结构耦接至所述插入件的第二侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装材料的横向侧表面与所述插入件的所述介电层的横向侧表面齐平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述封装材料变薄包括使所述封装材料变薄以使所述半导体管芯的所述第一侧暴露。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述半导体管芯的所述导电凸块放置在所述半导体管芯的第二侧上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体管芯的导电凸块中的每一个导电凸块包括铜柱。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，耦接所述多个导电互连结构包括将所述多个导电互连结构耦接至在所述插入件的所述第二侧上的底层凸块金属。

7.根据权利要求6所述的方法，包括，在接收所述结构之后形式所述底层凸块金属。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在耦接所述多个导电互连结构之前执行所述变薄。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所接收的结构包括所述半导体管芯和所述插入件之间的粘合材料。

10.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在临时基板上接收一结构，所述结构包括：

插入件，所述插入件包括：

导电层，其中，所述导电层的下部包括用于凸块连接的焊接区；以及

介电层；以及

半导体管芯，直接耦接至所述插入件的上侧；以及

封装材料，覆盖所述插入件的所述上侧并且横向包围所述半导体管芯；

去除所述临时基板；并且

将导电互连结构连接至用于凸块连接的所述焊接区。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述封装材料的横向侧表面与所述插入件的介电层的横向侧表面齐平。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体管芯被直接焊接至所述插入件。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体管芯和所述插入件之间纵向上没有直接的电气部件。

14.根据权利要求10所述的方法，包括，覆盖所述半导体管芯的顶侧和所述封装材料的顶侧的至少一部分的粘合层。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述临时基板包括玻璃材料。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在临时基板上接收一结构，所述结构包括：

插入件，所述插入件包括：

导电层；以及

介电层；

半导体管芯，耦接至所述插入件的第一侧，所述半导体管芯包括多个导电凸块；以及

封装材料，覆盖所述半导体管芯的第一侧，覆盖所述插入件的所述第一侧，并且横向包围所述半导体管芯；

使所述半导体管芯的一侧暴露；并且

利用包括至少一个导电层的第二部件覆盖所述半导体管芯的暴露侧。