[发明专利]半导体器件以及其制造方法在审

申请号：	201811570115.9	申请日：	2013-11-08
公开（公告）号：	CN110085523A	公开（公告）日：	2019-08-02
发明（设计）人：	都原彻;朴斗铉;白钟植;李志宪;徐成民	申请（专利权）人：	安默克技术股份公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L23/00;H01L23/04;H01L21/683;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48
代理公司：	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人：	梁丽超;王红艳
地址：	美国亚***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	插入件半导体管芯半导体器件封装材料耦接制造导电互连导电凸块横向包围临时基板导电层介电层变薄覆盖
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【说明书】：

本发明提供了半导体器件以及制造其的方法，制造半导体器件的方法包括：在临时基板上接收一结构，该结构包括：插入件，该插入件包括导电层以及介电层；半导体管芯，耦接至所述插入件的第一侧，半导体管芯包括多个导电凸块；以及封装材料，覆盖半导体管芯的第一侧，覆盖插入件的第一侧，并且横向包围半导体管芯；使封装材料变薄；并且将多个导电互连结构耦接至插入件的第二侧。

本申请是国际申请号为PCT/US2013/069057、国际申请日为2013年11月8日、发明名称为“半导体器件以及其制造方法”的PCT申请的中国国家阶段申请201380069858.7的分案申请，该PCT申请进入中国国家阶段日为2015年7月8日，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地涉及半导体器件以及其制造方法。

背景技术

用于形成具有插入件的电子封装件的本系统、方法和/或架构是不充分的。通过比较这些方法与如参考附图而在本申请的剩余部分中阐述的本发明，常规和传统方法的进一步的限制和缺点对本领域的技术人员来说将变得显而易见。

发明内容：

根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在临时基板上接收一结构，该结构包括：插入件，该插入件包括导电层以及介电层；半导体管芯，耦接至插入件的第一侧，半导体管芯包括多个导电凸块；以及封装材料，覆盖半导体管芯的第一侧，覆盖插入件的第一侧，并且横向包围半导体管芯；使封装材料变薄；并且将多个导电互连结构耦接至插入件的第二侧。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在临时基板上接收一结构，该结构包括：插入件，所述插入件包括导电层，其中，导电层的下部包括用于凸块连接的焊接区；以及介电层；以及半导体管芯，直接耦接至插入件的上侧；以及封装材料，覆盖插入件的上侧并且横向包围半导体管芯；去除临时基板；并且将导电互连结构连接至用于凸块连接的焊接区。

根据本发明的再一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在临时基板上接收一结构，该结构包括：插入件，插入件包括导电层以及介电层；半导体管芯，耦接至插入件的第一侧，半导体管芯包括多个导电凸块；以及封装材料，覆盖半导体管芯的第一侧，覆盖插入件的第一侧，并且横向包围半导体管芯；使半导体管芯的一侧暴露；并且利用包括至少一个导电层的第二部件覆盖半导体管芯的暴露侧。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图结合到说明书中并构成该说明书的一部分。附图示出了本公开的示例性实施方式，并且连同描述一起用于说明本公开的原理。在附图中：

图1示出了根据实施方式的半导体器件的截面图；

图2示出了根据另一个实施方式的半导体器件的截面图；

图3A至图3F顺序地示出了根据另一个实施方式的制造半导体器件的截面图；

图4A至图4D示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的前部的方法的截面图；

图5A至图5E示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的后部的方法的截面图；

图6A至图6D示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的前部的方法的截面图；

图7A至图7E示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的后部的方法的截面图；

图8A至图8D示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的前部的方法的截面图；并且

图9A至图9E示出了根据另一个实施方式的在制造半导体器件的方法中制造插入件的后部的方法的截面图。

具体实施方式