[发明专利]主动开关及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种主动开关的制作方法，其特征在于，所述主动开关的制作方法包括：

提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；

在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；

在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；

其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。

2.根据权利要求1所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述复合掺杂层包括依次层叠的第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层，所述第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度依次递增。

3.根据权利要求2所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述复合掺杂层的厚度范围为300埃-600埃；其中，所述第一N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第一N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃。

4.根据权利要求2所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极的步骤，包括：

在所述栅极绝缘层上依次沉积有源膜层、复合掺杂膜层和第二金属层；

在所述第二金属层上涂布一层光刻胶，并对所述光刻胶进行图案化处理；

采用第一次湿法刻蚀工艺对所述第二金属层进行刻蚀以形成第二子金属层；

采用第一次干法刻蚀工艺对所述有源膜层和复合掺杂膜层进行刻蚀以形成有源层和复合掺杂层、同时对所述光刻胶进行灰化；

采用第二次湿法刻蚀工艺对所述第二子金属层进行刻蚀以形成源漏极；

采用第二次干法刻蚀工艺对所述有源层和复合掺杂层进行刻蚀以形成沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。

5.根据权利要求1所述的主动开关的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度范围为2500埃-5000埃，所述第一子栅极绝缘层的厚度范围为0埃-2000埃，所述第二子栅极绝缘层的厚度范围为1000埃-3000埃，所述第三子栅极绝缘层的厚度范围为1000埃-2000埃。

6.一种主动开关，其特征在于，使用如权利要求1-6任一项所述的主动开关的制作方法进行制造，所述主动开关包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成所述基板上，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

复合掺杂层，形成于所述有源层上；及

形成于所述复合掺杂层上的源极与漏极；

其中，一沟道区位于所述复合掺杂层的中部，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述源极与漏极位于所述沟道区的两侧。

7.根据权利要求6所述的主动开关，其特征在于，所述栅极、源极及漏极的材料包括钼、钛、铝、铜中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的主动开关，其特征在于，所述栅极的厚度范围为3000埃-5000埃。

9.根据权利要求6所述的主动开关，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为氮化硅和/或氧化硅。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-9任一项所述的主动开关。