[发明专利]主动开关及其制作方法、显示装置在审

申请号：	201811570125.2	申请日：	2018-12-21
公开（公告）号：	CN109727874A	公开（公告）日：	2019-05-07
发明（设计）人：	杨凤云;卓恩宗	申请（专利权）人：	惠科股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	李文渊
地址：	518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	绝缘层子栅极栅极绝缘层主动开关沉积复合掺杂显示装置源漏极基板源层申请沉积栅极绝缘层干法刻蚀工艺光漏电流湿法刻蚀沟道区叠设制作覆盖
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【说明书】：

本申请涉及一种主动开关的制作方法，该方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成栅极；在所述栅极上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区。本申请可有效降低主动开关器件的光漏电流，改善IS现象。本申请还提供一种主动开关和显示装置。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种主动开关及其制作方法、显示装置。

背景技术

作为对显示面板的工作性能具有十分重要作用的薄膜晶体管，是显示技术中一个非要重要的关键器件。随着显示技术的迭代发展，更高性能、高画质以及大尺寸的显示装置成为发展趋势，也是直接影响用户观看体验和购物体验的因素。以高性能来说，想要显示装置具有更高的性能，从其中一个方面就要求显示装置中具备高性能的薄膜晶体管器件。

而通常的非晶硅薄膜晶体管制程中，都是采用BCE(Back Channel Etching，背沟道蚀刻)型结构，这种结构的成本相对低廉并且相对于ES(Etching stop，蚀刻阻挡层)型结构的工艺来说更加简单。但是采用BCE型结构进行背沟道蚀刻(N+cutting)时，有源层(半导体层)通常被破坏而产生较多悬挂键(Dangling Bond)与弱键(Weak Bond)，弱键容易在光照下分解,悬空键可能引起薄膜晶体管的不稳定性，造成薄膜晶体管的漏电流增大，进而引起显示装置在信赖性测试的时候出现IS(image sticking，残影)现象。

发明内容

基于此，有必要针对采用BCE型结构制成的薄膜晶体管漏电流较大，进而引起显示装置在信赖性测试的时候出现IS现象的问题，提供一种主动开关及其制作方法、显示装置。

一种主动开关的制作方法，所述主动开关的制作方法包括：

提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；

在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；

在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；

其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。

在其中一个实施例中，所述复合掺杂层包括依次层叠的第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层，所述第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型轻掺杂非晶硅层、第一N型重掺杂非晶硅层及第二N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度依次递增。

在其中一个实施例中，所述复合掺杂层的厚度范围为300埃-600埃；其中，所述第一N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型轻掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第一N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃，所述第二N型重掺杂非晶硅层的厚度范围为80埃-200埃。

在其中一个实施例中，所述在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极的步骤，包括：

在所述栅极绝缘层上依次沉积有源膜层、复合掺杂膜层和第二金属层；