[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成于所述基板上，并覆盖所述栅极；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上，且所述有源层与所述栅极相对设置；

蚀刻阻挡层，形成于所述有源层上；其中，部分蚀刻阻挡层覆盖于所述栅极绝缘层上，另一部分蚀刻阻挡层覆盖于所述有源层上，并使所述有源层的两侧边沿露出；

形成于所述蚀刻阻挡层上的源极与漏极；

所述存储电容包括：第一极板，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成于所述第一极板上；及

第二极板，形成于所述栅极绝缘层上，且所述第二极板与所述第一极板相对设置；

其中，位于所述栅极之上的栅极绝缘层的厚度大于位于所述第一极板之上的栅极绝缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

保护层，形成于所述源极、漏极及所述第二极板上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

像素电极，形成于所述保护层上，其中，所述像素电极通过不同的过孔分别与所述漏极、所述第二极板电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第一极板之上的栅极绝缘层的厚度为0埃-2000埃。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体层，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容位于所述阵列基板的像素区域，或位于所述阵列基板像素区域的周边电路中。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层的材料包括氧化铝或氧化硅。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-8任一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀以形成薄膜晶体管的栅极和存储电容的第一极板；

在所述栅极和所述第一极板上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层，对所述半导体层进行刻蚀以形成对应于所述栅极上方的有源层；

在所述有源层上形成蚀刻阻挡层，对所述蚀刻阻挡层进行刻蚀以使所述有源层的两侧边沿露出，同时，将位于所述第一极板上方的蚀刻阻挡层刻蚀掉、并将所述第一极板上的栅极绝缘层部分刻蚀；

在所述蚀刻阻挡层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀以形成源极、漏极和第二极板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。