[发明专利]一种埋入式芯片及其制备方法有效
申请号: | 201811571261.3 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN111354645B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 黄立湘;缪桦 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/60;H01L23/49 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 埋入 芯片 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法,该埋入式芯片的制备方法在对电路板进行图案化处理和金属电镀时,形成围绕电路板内部的芯片本体的导电闭环结构,令芯片本体的引脚焊盘通过导电闭环结构相互导通,进而在后续形成芯片引脚时,可通过导电闭环结构对切割芯片产生的静电电流进行分散,实现对芯片的静电保护。
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域,具体涉及一种埋入式芯片及其制备方法。
背景技术
随着信息社会的发展,各种电子设备的信息处理量与日俱增,对于高频、高速信号传输的需求日益增长。将半导体芯片埋入电路板中进行封装,可以有效地缩短半导体芯片与封装基板的连接距离,为高频、高速信号传输提供有力的保证。裸芯片埋入电路板同时可以满足封装体高集成度以及电子产品微型化的发展需求。
现有技术中,对裸芯片埋入电路板的制备通常是采用将裸芯片贴合在电路板基本上,在逐渐形成电路板的过程中完成裸芯片的埋入。此外,埋入裸芯片通常是在一整块基板上完成多个裸芯片的埋入,当完成裸芯片埋入后,再对各个芯片进行切割,进而得到需要的一个或多个埋入式芯片,然而在切割过程中通常会产生静电,进而对埋入的芯片造成损坏。此外,切割下的芯片的各个芯片引脚相互分离,在保存过程中也可能受到静电影响而被损坏。
发明内容
本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法,以实现在制备埋入式芯片的过程中对芯片进行静电保护。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种埋入式芯片的制备方法,所述制备方法包括:
提供包含在电路板内部的芯片本体,其中,所述芯片本体具有引脚焊盘;
对所述电路板进行图案化处理,形成与所述芯片本体的引脚焊盘对应的盲孔,并在所述电路板上形成围绕所述芯片本体的一闭环凹槽;
在所述图案化处理后的电路板上进行金属电镀,以将所述引脚焊盘通过所述盲孔由电镀金属引出,并在所述闭环凹槽处形成导电闭环结构,其中,所述引脚焊盘与所述导电闭环结构通过所述电镀金属导通;
将所述引脚焊盘与所述导电闭环结构断开,并移除所述导电闭环结构,以形成所述芯片本体的芯片引脚。
在一实施方式中,所述芯片本体的数量为至少一个,所述导电闭环结构围绕所述至少一个芯片;
其中,所述至少一个芯片中的每个芯片的引脚焊盘均与所述导电闭环结构通过所述电镀金属导通。
在一实施方式中,所述对所述电路板进行图案化处理的步骤,还包括:
在所述电路板上形成通孔,所述通孔贯穿所述电路板,且位于所述导电闭环结构的范围内;
所述通孔的数量与所述芯片本体的数量相对应,且每个通孔位于与其对应的所述芯片本体与所述导电闭环结构之间。
在一实施方式中,所述电路板包括第一金属层和第二金属层,以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的填充层;
所述提供包含在电路板内部的芯片本体的步骤,包括:
提供包含在电路板的所述填充层内的芯片本体。
在一实施方式中,所述提供包含在电路板内部的芯片本体的步骤,包括:
在电路板载体上形成所述第一金属层;
在所述第一金属层上粘贴贴片,并在所述贴片上固定所述芯片本体;
在所述芯片本体周围形成包裹所述芯片本体的填充层;
在所述填充层上形成所述第二金属层,并去除所示电路板载体。
在一实施方式中,所述提供包含在电路板内部的芯片本体的步骤,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造