[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811572467.8 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109560117B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 哈朗朗;江昌俊;李俊;毛波;李宁宁;徐阳 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板上具有多个像素区间,每一所述像素区间上设置有阳极层,相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层;所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层,所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口,所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口;所述辅助阴极层上设有搭接部,所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内;所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层,位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域;所述发光功能层上设有阴极层,所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触;
所述位于所述搭接部上的发光功能层断开成多个部分,相邻的部分之间相互独立、且存在间隙,部分所述阴极层填充在所述间隙内;
所述搭接部与所述像素定义层之间存在间隔;
所述搭接部的横截面积由顶部向底部逐渐增大;
所述搭接部的材料为碳/聚四氟乙烯;
所述搭接部的高度不大于所述像素定义层的高度,所述辅助阴极层的厚度大于所述阳极层的厚度;
所述阴极层的材料包括铟锌氧化物、氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助阴极层的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。
3.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-2任一项所述的阵列基板。
4.一种如权利要求1-2任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的像素区间上形成阳极层,在衬底基板的相邻的所述像素区间之间的区域内形成辅助阴极层,在阳极层以及辅助阴极层上形成像素定义层,所述像素定义层在包括形成于阳极层上的像素开口以及形成于所述辅助阴极层上的辅助开口;
在所述辅助阴极层上形成搭接部,所述搭接部位于所述辅助开口内;
在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层,并通过搭接部膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂;
在所述发光功能层形成阴极层,所述阴极层通过所述发光功能层的断裂区域与所述搭接部相接触。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在衬底基板上形成阳极层、辅助阴极层以及像素定义层之前,还包括在衬底基板上形成栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层、树脂层以及平坦层。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层,并通过搭接部受热膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂,具体包括:
通过热蒸镀或者喷墨打印方式在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层;
对衬底基板进行升温,使搭接部受热膨胀以使所述搭接部上的发光功能层断裂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的