[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811572467.8 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109560117B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 哈朗朗;江昌俊;李俊;毛波;李宁宁;徐阳 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板包括衬底基板,衬底基板具有多个像素区间,每一像素区间设置有阳极层,相邻的像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层;阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层,像素定义层在阳极层上形成有像素开口,像素定义层在辅助阴极层上形成有辅助开口;辅助阴极层上设有搭接部,搭接部具有导电性、且位于辅助开口内;阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层,位于搭接部上的发光功能层具有断裂区域;发光功能层上设有阴极层,阴极层通过断裂区域与搭接部相接触,该阵列基板能够改善阵列基板的阴极电阻分布,改善电压降的问题,提高发光均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在显示技术领域,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器以其轻薄、自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术,而能够获得更大的开口率的顶发射OLED显示器成为近年来研究的热点。
现有顶发射OLED显示器通常由阳极层、发光功能层和阴极层组成,为了保证透光率,阴极层一般为较薄的透明阴极,但是这样的阴极层的导电能力差,在通电的过程中由于有阴极层电阻的存在会导致电压降低,导致屏幕的中心区域的亮度低于屏幕的边缘区域的亮度,使得屏幕的中心区域亮度偏暗,目前电压降的问题主要依靠对驱动电路的修正进行解决,但是这种解决方法难以有效改善电压降的问题。
因此,本发明提供一种能够有效改善电压降的问题的阵列基板及其制备方法、显示装置显得尤为重要。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板通过设置辅助阴极层改善阵列基板上的阴极电阻分布,改善电压降的问题,提高了发光的均匀性,提升产品良率。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上具有多个像素区间,每一所述像素区间上设置有阳极层,相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层;所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层,所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口,所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口;所述辅助阴极层上设有搭接部,所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内;所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层,位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域;所述发光功能层上设有阴极层,所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触。
在上述阵列基板中,由于阴极层通过断裂区域与搭接部相接触,而搭接部具有导电性、且位于像素定义层在辅助阴极层上形成的辅助开口内,故阴极层通过搭接部与辅助阴极层之间电连接,此时,与现有技术的阵列基板相比,上述阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻包括两部分,一部分是原有的阴极层,另一部分是与阴极层相导通的辅助阴极层,上述阵列基板上除具有辅助阴极层的区域之外的区域的阴极电阻仅包括原有的阴极层,即阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻发生变化,从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布,进而能够降低阵列基板上的电压降,并且阴极层通过断裂区域与搭接部相接触,还可以改善显示亮度,提高显示均匀性等特性,进而提升显示品质。
可选地,所述搭接部与所述像素定义层之间存在间隔。
可选地,所述位于所述搭接部上的发光功能层断开成多个部分,相邻的部分之间相互独立、且存在间隙,部分所述阴极层填充在所述间隙内。
可选地,所述搭接部的材料为碳/聚四氟乙烯。
可选地,所述搭接部的高度不大于所述像素定义层的高度。
可选地,所述辅助阴极层的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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