[发明专利]显示模组挡墙结构有效
| 申请号： | 201811574624.9 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109671866B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王俊媛;曹君 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 模组 挡墙 结构 | ||
1.一种显示模组挡墙结构，其特征在于，包括，
有机发光显示基板，
像素定义层，所述像素定义层设置在所述有机发光显示基板上，
封装层，所述封装层设置在所述像素定义层上，
挡墙，所述挡墙至少包围所述有机发光显示基板的显示区域、所述像素定义层和所述封装层，致使所述挡墙定义出所述封装层的边界；
其中，所述挡墙还包括内侧面以及至少一凹槽，所述凹槽位于所述挡墙的内侧面上，并间隔的设置在所述内侧面上，所述凹槽沿着所述挡墙的底部向所述挡墙的顶部进行设置，且所述凹槽的高度不大于所述挡墙的高度。
2.根据权利要求1所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述凹槽的截面形状为矩形、梯形、三角形或弧形。
3.根据权利要求1所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述凹槽等间距设置，所述凹槽沿所述挡墙的底部向所述挡墙的顶部延伸。
4.根据权利要求3所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，相邻两个所述凹槽的间距范围在4um及10um之间，所述凹槽的宽度范围在4um及10um之间。
5.根据权利要求1所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述封装层还包括至少一有机层和至少一无机层，所述有机层和所述无机层交替设置。
6.根据权利要求5所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述无机层的材料为SiNx、SiOx、AlOx、TiOx或SiOxNy。
7.根据权利要求5所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述有机层的材料为丙烯酸酯、环氧树脂、六甲基二硅醚或聚苯乙烯。
8.根据权利要求5所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述封装层的顶层为所述无机层，所述无机层包覆所述挡墙及所述有机层。
9.根据权利要求1所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述有机发光显示基板为玻璃基板或柔性基板。
10.根据权利要求1所述的显示模组挡墙结构，其特征在于，所述挡墙的厚度大于所述封装层和所述像素定义层的总厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
