[发明专利]一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法在审
| 申请号： | 201811576984.2 | 申请日： | 2018-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN109665872A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 周东平 | 申请（专利权）人： | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/90 | 分类号： | C04B41/90 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝陶瓷基板 金属形成 蒸发 氮化铝陶瓷 金属化薄膜 蒸发镀膜 镀膜 预处理 蒸发镀膜设备 薄膜金属化 氮化铝基板 金属化镀膜 陶瓷金属化 镀膜成本 高温烤箱 工装夹具 降温曲线 设备费用 蒸发过程 烘干 靶材 制作 装入 清洗 投放 | ||
1.一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理；
S2、将烘干后的氮化铝陶瓷基板投入高温烤箱；
S3、对氮化铝陶瓷基板进行清洗；
S4、金属化镀膜，将氮化铝基板装入工装夹具内，再投放入蒸发镀膜设备，在真空度达到2X10（-2）PA、温度达到200℃后开始镀膜，蒸发过程中先蒸发Ti金属形成Ti层，Ti层的厚度为200-800nm；再蒸发Pt金属形成Pt层，Pt层的厚度为200-800nm；最后蒸发Au金属形成Au层，Au层的厚度为200-3000nm；
S5、蒸发镀膜完成后，设置降温曲线，第一阶段250℃恒温30-60分钟，第二阶段200℃恒温30-60分钟，第三阶段150℃恒温30-60分钟后自然冷却。
2.根据权利要求1所述的基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，其特征在于：所述步骤S1具体为将氮化铝陶瓷基板用温度为25℃、浓度为30%的盐酸浸泡5分钟，浸泡完成后，取出氮化铝陶瓷基板，用纯水对氮化铝陶瓷基板冲淋，再将氮化铝陶瓷基板放入超声波清洗线进行清洗烘干。
3.根据权利要求1所述的基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，其特征在于：所述步骤S2具体为设定烤箱温度为800-1000℃，烘烤时间为30-80分钟，自然冷却后取出氮化铝陶瓷基板。
4.根据权利要求1所述的基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，其特征在于：所述步骤S3具体为将氮化铝陶瓷基板放入超声波清洗线进行清洗烘干。
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