[发明专利]一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法

说明书

本发明一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理；S2、将烘干后的氮化铝陶瓷基板投入高温烤箱；S3、对氮化铝陶瓷基板进行清洗；S4、金属化镀膜，将氮化铝基板装入工装夹具内，再投放入蒸发镀膜设备，在真空度达到2X10^（‑2）PA、温度达到200℃后开始镀膜，蒸发过程中先蒸发Ti金属形成Ti层；再蒸发Pt金属形成Pt层；最后蒸发Au金属形成Au层。S5、蒸发镀膜完成后，设置降温曲线。本发明采用蒸发镀膜的方法做薄膜金属化可以大大提高陶瓷金属化的效率，镀膜面积大幅提高，同时节省了靶材和设备费用，降低了镀膜成本。

技术领域

本发明涉及光电子封装领域，具体涉及一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法。

背景技术

目前氮化铝表面的金属化工艺难度较高，氮化铝晶体结构相对不稳定，与金属的结合牢固度不好，是光电子封装领域的一大难题。目前现有的工艺普遍采用厚膜的工艺，即电镀工艺，厚膜工艺存在以下的缺点：（1）、不环保；（2）、膜层牢固度不好；（3）、膜层疏松，焊接可靠性不高。也有极少数的薄膜金属化工艺，但是现有的薄膜金属化的工艺主要采用溅射的方式，其存在以下缺点：（1）、成本高，在溅射镀金的工艺中，高纯度的金靶材成本较高；（2）、效率低，溅射镀膜的单罩镀膜面积小，生产效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种牢固度高、成本低、效率高的基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法，包括以下步骤：

S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理；

S2、将烘干后的氮化铝陶瓷基板投入高温烤箱；

S3、对氮化铝陶瓷基板进行清洗；

S4、金属化镀膜，将氮化铝基板装入工装夹具内，再投放入蒸发镀膜设备，在真空度达到2X10^（-2）PA、温度达到200℃后开始镀膜，蒸发过程中先蒸发Ti金属形成Ti层，Ti层的厚度为200-800nm；再蒸发Pt金属形成Pt层，Pt层的厚度为200-800nm；最后蒸发Au金属形成Au层，Au层的厚度为200-3000nm；

S5、蒸发镀膜完成后，设置降温曲线，第一阶段250℃恒温30-60分钟，第二阶段200℃恒温30-60分钟，第三阶段150℃恒温30-60分钟后自然冷却。

进一步的，所述步骤S1具体为将氮化铝陶瓷基板用温度为25℃、浓度为30%的盐酸浸泡5分钟，浸泡完成后，取出氮化铝陶瓷基板，用纯水对氮化铝陶瓷基板冲淋，再将氮化铝陶瓷基板放入超声波清洗线进行清洗烘干。

进一步的，所述步骤S2具体为设定烤箱温度为800-1000℃，烘烤时间为30-80分钟，自然冷却后取出氮化铝陶瓷基板。

进一步的，所述步骤S3具体为将氮化铝陶瓷基板放入超声波清洗线进行清洗烘干。

与现有技术相比，本发明一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法的有益效果是：采用蒸发镀膜的方法做薄膜金属化可以大大提高陶瓷金属化的效率，镀膜面积大幅提高，同时节省了靶材和设备费用，降低了镀膜成本。

具体实施方式

以下为本发明的具体实施方式，所述的实施例是为了进一步描述本发明，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域人员理解，并不因此将本发明限制在所述的实施例发明中。

实施例1

一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法的制备方法，包括以下步骤：S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理，具体为将氮化铝陶瓷基板用温度为25℃