[发明专利]一种超低折射率SiO2

权利要求书

1.一种超低折射率SiO₂减反射膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法为：先制备得到酸催化的SiO₂溶胶A，然后将酸催化的SiO₂溶胶A除酸后作为原料与碱催化溶胶原料一起制备复合SiO₂溶胶B，最后将复合SiO₂溶胶B通过浸渍提拉法制得SiO₂薄膜；具体包括如下操作步骤：

步骤1，制备酸催化的SiO₂溶胶A：

将104g正硅酸乙酯、860g无水乙醇和 36g水混合均匀，得到混合溶液X，将混合溶液X密封于容器中，于30℃下搅拌4小时，然后置于25℃下静置七天得到酸催化的SiO₂溶胶，得到的SiO₂溶胶的质量百分浓度为3%；最后将酸催化的SiO₂溶胶回流冷凝24小时，将得到的溶胶记为溶胶A；其中，36g水中含有0.2g浓盐酸；

步骤2，将无水乙醇、氨水、去离子水和正硅酸乙酯按摩尔比37.6：0.17：3.25：1混合，得到混合溶液Z，将混合溶液Z加入到一定量的溶胶A中，得到混合溶液Y；往混合溶液Y中加入与溶胶A质量等量的乙醇进行稀释，将稀释液搅拌均匀后静置7天，得到碱催化的SiO₂溶胶，记为溶胶B；其中，溶胶B中溶胶A所占的质量比为0.1~0.2；

步骤3，在相对湿度环境＜50%的环境下，将经过预处理的基底浸入步骤2的溶胶B中，采用浸渍提拉法在基底上镀SiO₂薄膜，其中，提拉速度为80 mm.min^-1；

所述超低折射率SiO₂减反射膜的折射率为1.13或1.16。

2.根据权利要求1所述的超低折射率SiO₂减反射膜的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述浓盐酸的质量百分浓度为36.5%。

3.根据权利要求1所述的超低折射率SiO₂减反射膜的制备方法，其特征在于：步骤2中，所述氨水的质量百分浓度为28%。

4.根据权利要求1所述的超低折射率SiO₂减反射膜的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述基底的预处理是指将基底放入洗液中充分洗涤后，再分别用无水乙醇和去离子水经超声波充分洗涤，洗涤后用氮气吹干并烘干，最后将烘干的基底置于干燥器中备用。

5.根据权利要求1所述的超低折射率SiO₂减反射膜的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述基底为硅片、K9玻璃基片、熔石英或普通玻璃中的任意一种。