[发明专利]沟槽肖特基器件在审
| 申请号： | 201811578438.2 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109473470A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;杨寿国;王修忠;王鹏;邢文超 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶层 肖特基器件 变径 宽径 金属硅化物层 窄径 半导体器件 漏电现象 势垒金属 贯穿 溅射 缓解 | ||
1.一种沟槽肖特基器件，其特征在于，包括单晶层和设置在所述单晶层上的金属硅化物层、所述沟槽肖特基器件形成贯穿所述金属硅化物层以及贯穿部分所述单晶层的沟槽，所述沟槽包括宽径区、窄径区和变径区，所述变径区为由所述窄径区过渡到所述宽径区的区域，所述宽径区和部分所述变径区位于所述单晶层内。
2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，还包括于所述沟槽的内壁形成的栅氧化层。
3.根据权利要求1所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，还包括淀积于所述沟槽内部的掺杂多晶硅。
4.根据权利要求3所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述掺杂多晶硅的上表面呈弧面状。
5.根据权利要求4所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述单晶层的上表面高于所述弧面的最低点且低于所述弧面的最高点。
6.根据权利要求2所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，还包括金属电极层，设置在所述金属硅化物层上。
7.根据权利要求6所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述金属硅化物层与所述单晶层的接触面为势垒区。
8.根据权利要求7所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述势垒区与所述栅氧化层的夹角呈锐角。
9.根据权利要求1所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述宽径区的宽度为0.7-1.8微米，所述窄径区的宽度为0.3-1.0微米。
10.根据权利要求1所述的沟槽肖特基器件，其特征在于，所述沟槽的形状呈凸形。
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