[发明专利]发光装置在审

专利信息
申请号: 201811579376.7 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN110010751A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 中林拓也;田村元帅 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64;H01L33/60;H01L25/075
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 配线 发光装置 基板 基材 背面 发光元件 配线配置 电连接 凹陷 底面 底面开口 反射构件 邻接 散热性 上表面 正交的 覆盖 内壁 载置 侧面
【权利要求书】:

1.一种发光装置,具备:

基板,其具备基材、第一配线以及第二配线,所述基材具有沿长边方向即第一方向和短边方向即第二方向延长的正面、位于与所述正面相反的一侧的背面、与所述正面邻接且与所述正面正交的底面、以及位于与所述底面相反的一侧的上表面,所述第一配线配置于所述正面,所述第二配线配置于所述背面;

至少一个发光元件,其与所述第一配线电连接,且载置在所述第一配线上;以及

第一反射构件,其覆盖所述发光元件的侧面以及所述基板的正面,

其中,

所述基材具有在所述背面和所述底面开口的至少一个凹陷,

所述基板具备覆盖所述凹陷的内壁且与所述第二配线电连接的第三配线、以及与所述第一配线、所述第二配线及所述第三配线相接的过孔。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

对于从所述背面朝向所述正面的方向上的所述凹陷的深度而言,在所述底面侧比所述上表面侧深。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

在所述底面中,所述凹陷的中央的深度最大。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其中,

在所述背面中,所述凹陷呈半圆形状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置,其中,

所述凹陷的深度的最大值为所述基材的厚度的0.4倍至0.9倍。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置,其中,

所述凹陷具有多个,在所述背面中,多个所述凹陷相对于与第二方向平行的基材的中心线而左右对称地配置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置,其中,

所述发光装置具备覆盖所述发光元件的透光性构件。

8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,

所述第一反射构件覆盖所述透光性构件的侧面。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置,其中,

所述第一反射构件的短边方向的侧面与所述基板的短边方向的侧面实质上位于同一平面上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置,其中,

所述发光装置具备多个所述发光元件,多个所述发光元件沿第一方向排列设置。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光装置,其中,

所述过孔具备第四配线和填充构件,所述填充构件是树脂材料。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光装置,其中,

所述基材具备位于所述正面与所述背面之间的侧面,所述凹陷是在所述背面、所述底面以及所述侧面开口的端部凹陷。

13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,

所述发光装置具备多个所述端部凹陷,在后视观察时所述端部凹陷位于基材的两端。

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