[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置在审
| 申请号： | 201811580255.4 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110098163A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卢寿政;吴致成;孙教民;金勇基;文钟淏;禹昇汉;尹载允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 半导体裸片 半导体装置 分布电流 电连接 基底 电源线 堆叠 电路 穿过 | ||
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：
基底；
第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底，其中，“M”和“K”中的每个独立地为2或更大的整数；以及
第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线被提供电压和电流，其中，
第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上，“N”为不小于1且不大于M-1的整数，
其中，第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔，其中，所述一个硅通孔在平面图中不与第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的相应的硅通孔叠置，并且
其中，第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔均连接到供应电压和电流的电源。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
第N半导体裸片的第一硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第K硅通孔，并且
第N半导体裸片的第二硅通孔至第K硅通孔分别电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K-1硅通孔。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一电路仅电连接到第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔被划分为第一组至第G组，“G”为不小于2且不大于K-1的整数，并且
包括在第一组至第G组中的每组中的硅通孔彼此电连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电路和电源线电连接到第一组至第G组中的包括第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔的组。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，包括在第一组至第G组中的每组中的硅通孔的数量为至少两个。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，包括在第一组中的硅通孔的数量不同于包括在第二组中的硅通孔的数量。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片还包括：
第K+1硅通孔至第K+L硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及
第二电路，通过与第K+1硅通孔至第K+L硅通孔电连接的电源线接收电力，
第N半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔，其中，第N+1半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔在平面图中与第N半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔叠置，并且
第一半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔连接到电源。
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