[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置

说明书

本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。

于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012102号且发明名称为“包括分布电流的硅通孔的半导体装置(Semiconductor Device Including ThroughSilicon Vias Distributing Current)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体装置，更具体的，涉及一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置。

背景技术

许多半导体裸片可以堆叠在半导体装置中。通常，引线键合可用来使堆叠的半导体裸片电连接。硅通孔可以用于使堆叠的半导体裸片连接，以实现高性能和高集成度的半导体装置。

半导体装置可以是例如存储器装置。为了增加存储器装置的容量，会增大存储器装置中堆叠的存储器裸片的数量。随着存储器裸片的数量增大，向存储器裸片提供电源电压的硅通孔会增多。

发明内容

根据示例性实施例，半导体装置包括在第一方向上堆叠的第一半导体裸片至第M半导体裸片。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个可以包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。“M”和“K”中的每个可以独立地为2或更大的整数。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片可以堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上。“N”可以为不小于1且不大于M-1的整数。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔可以电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔可以连接到供应电力的电源。

根据示例性实施例，半导体装置可以包括在第一方向上堆叠的第一半导体裸片至第M半导体裸片。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片可以包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；第一开关至第S开关，选择连接到第一硅通孔至第K硅通孔的电源线；以及第一电路，通过第一开关至第S开关中的一个开关接收电力。“M”、“K”和“S”中的每个可以独立地为2或更大的整数。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片可以堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上。“N”可以为不小于1且不大于M-1的整数。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔可以电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔可以连接到供应电力的电源。