[发明专利]反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置在审
| 申请号： | 201811581107.4 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111352180A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张红秀;王杰;孙微;李屹 | 申请（专利权）人： | 深圳光峰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G03B21/20 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 唐芳芳 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 结构 制备 方法 波长 转换 装置 | ||
1.一种反射结构，包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，其特征在于：所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。
2.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述基片的材质为金属或者陶瓷。
3.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围介于20-200nm，所述第二镀银膜的银颗粒的粒径范围介于1-30nm。
4.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的厚度介于0.05-2μm，所述第二镀银膜的厚度介于0.01-0.2μm。
5.如权利要求4所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的厚度介于0.1-1μm，所述第二镀银膜的厚度介于0.02-0.05μm。
6.一种反射结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基片，对所述基片进行清洁处理；
在溅射室中安放银靶材及清洁后的所述基片，所述基片具有第一温度及在第一溅射功率的条件下在其表面溅射金属银，形成第一镀银膜；
所述基片具有第二温度及在第二溅射功率的条件下在所述第一镀银膜表面溅射金属银，形成第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。
7.如权利要求6所述的反射结构的制备方法，其特征在于，所述第一温度范围介于200-500℃，所述第二温度范围介于10-40℃。
8.如权利要求7所述的反射结构的制备方法，其特征在于，所述第一温度范围介于300-400℃，所述第二温度范围介于15-30℃。
9.如权利要求6所述的反射结构的制备方法，其特征在于，第一溅射功率的范围介于100-250W，第二溅射功率的范围介于40-80W。
10.一种波长转换装置，包括：反射结构及波长转换层，其特征在于，所述反射结构是如权利要求1-5任意一项所述的反射结构，所述波长转换层形成在所述第二镀银膜的表面。
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