[发明专利]反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置

说明书

本发明涉及一种反射结构，包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。本发明还涉及一种所述反射结构的制备方法及包括有所述反射结构的波长转换装置。

技术领域

本发明涉及照明和投影技术领域，尤其涉及一种反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置。

背景技术

现有的半导体光源投影系统，将发光二极管或激光二极管等光源发射的激发光入射到波长转换装置的不同的波长转换材料上，产生波长大于该激发光的波长的不同颜色的受激光，如红色受激光、绿色受激光和蓝色受激光，然后将不同颜色的受激光合成一束光后，进行投影图像的显示。

反射式波长转换装置主要包括基底以及形成于基底上的反射层。目前反射层常采用烧结银形式或者真空镀银形式。烧结银作为反射层容易吸附水汽、灰尘、与空气中的氧气发生反应等以影响反射效果。用真空镀膜方式制备的反射层与基板的附着力不高，现有技术为了确保波长转换装置的反射层与陶瓷基片的附着力，是在反射层与基片之间加镀透明介质过渡层，如SiO₂，Al₂O₃、TiO₂等，然而，介质层镀膜效率极低，影响批量生产效率；另外，介质层对光有一定的吸收，影响反射层的反射率。

发明内容

本发明目的在于提供一种能解决上述问题的反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置。

一种反射结构，其包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。

本发明还涉及一种反射结构的制备方法。

一种反射结构的制备方法，包括如下步骤：

提供基片，对所述基片进行清洁处理；

在溅射室中安放银靶材及清洁后的所述基片，所述基片具有第一温度及在第一溅射功率的条件下在其表面溅射金属银，形成第一镀银膜；

所述基片具有第二温度及在第二溅射功率的条件下在所述第一镀银膜表面溅射金属银，形成第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。

本发明还涉及一种波长转换装置。

一种波长转换装置，包括：反射结构及波长转换层，所述反射结构是如上所述的反射结构，所述波长转换层形成在所述第二镀银膜的表面。

与现有技术相比较，本发明提供的反射结构制备方法制备形成的反射结构包括基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。在银膜的形成过程中，第一镀银膜的晶粒粒径较大，应力易于释放，从而增加与所述基片之间的附着力；第二镀银膜的晶粒粒径较小，能填补第一镀银膜的粒径之间的间隙，从而，第一镀银膜及第二镀银膜共同形成的反射膜与基片的附着力高、膜层致密度高，反射率高，也即本发明提供的波长反射装置能提高反射层与基片的附着力，又不降低反射层的反射率。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的反射结构的剖面图。

图2为图1所示的反射结构的反射膜在电镜下的表面形貌图。

图3A-3C为本发明第二实施例提供的一种反射结构的制作流程图。

图4为本发明第二实施例提供的溅镀银形成的反射膜的发光强度与烧结银形成的反射膜的发光强度的对比图。

图5是本发明第三实施例提供的波长转换装置的剖面图。