[发明专利]非矩形显示装置有效
申请号: | 201811583188.1 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109671733B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 吕绍平;谢嘉定;刘品妙;郭家玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩形 显示装置 | ||
1.一种非矩形显示装置,包括:
一基板,具有一第一显示区以及位于该第一显示区周围的一第二显示区,其中该第一显示区与该第二显示区构成一非矩形显示区;
多个第一子像素,设置于该第一显示区中,其中多个所述第一子像素沿一第一方向与一第二方向阵列排列,该第一方向与该第二方向交错,每个所述第一子像素包括一第一发光二极管与一第一电极,且该第一发光二极管的一第一端与该第一电极电性连接;
多个第二子像素,设置于该第二显示区中,其中每个所述第二子像素包括一第二发光二极管,其中多个所述第二子像素的多个所述第二发光二极管中的多个沿着该非矩形显示区的一边缘轮廓排列,沿着该非矩形显示区的该边缘轮廓排列的多个所述第二发光二极管各自与相邻的多个所述第一子像素的多个所述第一发光二极管之间具有两种以上的距离;以及
多个第一连接电极,各自电性连接每个所述第二子像素的该第二发光二极管的一第一端与相邻于多个所述第二子像素的多个所述第一子像素的一个的该第一电极,其中,至少两个所述第一连接电极的长度不同。
2.如权利要求1所述的非矩形显示装置,其中电性连接于同一个第一电极的该第一发光二极管与该第二发光二极管的主波长范围相同。
3.如权利要求1所述的非矩形显示装置,其中该非矩形显示区的轮廓为圆形、心形、椭圆形或非矩形的多边形。
4.如权利要求1所述的非矩形显示装置,还包括多个像素驱动元件,分别设置于多个所述第一子像素内,多个所述像素驱动元件各自电性连接多个所述第一连接电极。
5.如权利要求1所述的非矩形显示装置,其中排列于同一列或同一行的多个所述第一子像素中的多个所述第一发光二极管的主波长范围相同,且其中排列于同一列或同一行的多个所述第一子像素中的多个的主波长范围相异于多个所述第二子像素中的至少一个的该第二发光二极管的主波长范围。
6.如权利要求1所述的非矩形显示装置,其中多个所述第二子像素中的至少一个还包括一第三发光二极管,且该至少一个第二子像素的该第二发光二极管与该第三发光二极管具有不同的主波长范围。
7.如权利要求6所述的非矩形显示装置,其中该至少一个第二子像素的该第二发光二极管的该第一端与该第三发光二极管的一第一端各自通过该第一连接电极与一第二连接电极电性连接于邻近且不同的多个所述第一电极。
8.如权利要求6所述的非矩形显示装置,其中与该至少一个第二子像素相邻的另一个第二子像素包括一第四发光二极管,且该第四发光二极管、该第二发光二极管以及该第三发光二极管具有不同的主波长范围。
9.如权利要求6所述的非矩形显示装置,其中多个所述第二发光二极管的主波长范围为610nm至670nm。
10.如权利要求9所述的非矩形显示装置,其中在多个所述第二子像素中,多个所述第二发光二极管的总数量大于多个所述第三发光二极管的总数量。
11.如权利要求9所述的非矩形显示装置,其中该第二显示区还包括相邻于该至少一第二子像素的一第三子像素,该第三子像素包括一第五发光二极管,该第五发光二极管的主波长范围与该第二发光二极管的主波长范围相异。
12.如权利要求11所述的非矩形显示装置,还包括一第三连接电极,电性连接该第三子像素的该第五发光二极管的一第一端与相邻于该第三子像素的多个所述第一子像素的一者的该第一电极。
13.如权利要求11所述的非矩形显示装置,其中该第三子像素中的该第五发光二极管的总数量与不包括该第三发光二极管的每个所述第二子像素的该第二发光二极管的总数量相异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的