[发明专利]非矩形显示装置有效
申请号: | 201811583188.1 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109671733B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 吕绍平;谢嘉定;刘品妙;郭家玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩形 显示装置 | ||
本发明实施例的非矩形显示装置包括基板、多个第一子像素、多个第二子像素以及多个第一连接电极。基板具有第一显示区以及位于第一显示区周围的第二显示区。第一与第二显示区构成非矩形显示区。第一子像素设置于第一显示区中。第一子像素沿第一方向与第二方向阵列排列。各第一子像素包括第一发光二极管与第一电极,且第一发光二极管的第一端与第一电极电性连接。第二子像素设置于第二显示区中,且各别包括第二发光二极管。第一连接电极电性连接第二子像素的第二发光二极管的第一端与相邻于第二子像素的第一子像素的第一电极。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,且特别涉及一种非矩形显示装置。
背景技术
随着平面显示器市场的快速发展,对于平面显示器的尺寸及形状的各种需求也逐渐出现。举例而言,对于穿戴式显示装置、车用显示装置等产品而言,可能需要非矩形(例如是圆形、椭圆形、多边形等)的显示装置。
在此些非矩形显示装置的边缘区域中,子像素有可能因面积不足等因素而无法容纳完整的像素驱动电路,故无法使边缘区域的子像素正常发挥显示的功能。如此一来,可能造成显示区域的边缘与显示装置的边缘之间存在有无法发挥显示功能的暗区。此外,还可能使显示区域具有锯齿状的边缘。
发明内容
本发明提供一种非矩形显示装置,其显示区域可更贴近显示装置的边缘。
本发明的非矩形显示装置包括基板、多个第一子像素、多个第二子像素以及多个第一连接电极。基板具有第一显示区以及位于第一显示区周围的第二显示区。第一显示区与第二显示区构成非矩形显示区。多个第一子像素设置于第一显示区中。多个第一子像素沿第一方向与第二方向阵列排列。第一方向与第二方向交错。每个第一子像素包括第一发光二极管与第一电极,且第一发光二极管的第一端与第一电极电性连接。多个第二子像素设置于第二显示区中。每个第二子像素包括第二发光二极管。多个第一连接电极各自电性连接每个第二子像素的第二发光二极管的第一端与相邻于第二子像素的第一子像素的一个的第一电极。
在本发明的一实施例中,电性连接于同一第一电极的第一发光二极管与第二发光二极管的主波长范围实质上相同。
在本发明的一实施例中,非矩形显示区的轮廓为圆形、心形、椭圆形或非矩形的多边形。
在本发明的一实施例中,非矩形显示装置还包括多个像素驱动元件,分别设置于第一子像素内。
在本发明的一实施例中,排列于同一列或同一行的第一子像素中的多个的第一发光二极管的主波长范围相同,且排列于同一列或同一行的第一子像素中的多个的主波长范围相异于第二子像素中的至少一个的第二发光二极管的主波长范围。
在本发明的一实施例中,其中第二子像素中的至少一个还包括第三发光二极管。此至少一个第二子像素的第二发光二极管与第三发光二极管具有不同的主波长范围。
在本发明的一实施例中,该至少一个第二子像素的第二发光二极管的第一端与第三发光二极管的第一端各自通过第一连接电极与第二连接电极电性连接于邻近且不同的第一电极。
在本发明的一实施例中,与该至少一个第二子像素相邻的另一个第二子像素包括第四发光二极管,且第四发光二极管、第二发光二极管以及第三发光二极管具有不同的主波长范围。
在本发明的一实施例中,第二发光二极管的主波长范围为610nm至670nm。
在本发明的一实施例中,在第二子像素中,第二发光二极管的总数量大于第三发光二极管的总数量。
在本发明的一实施例中,第二显示区还包括第三子像素。第三子像素相邻上述的至少一个第二子像素,且包括第五发光二极管。第五发光二极管的主波长范围与第二发光二极管的主波长范围相异。
在本发明的一实施例中,非矩形显示装置还包括第三连接电极,电性连接第三子像素的第五发光二极管的第一端与相邻于第三子像素的第一子像素的一个的第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的