[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201811583769.5 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN110034085A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 假屋崎修一;白井航;片山晋二;土屋惠太 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/498;H01L25/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 导体平面 半导体器件 导线横截面 布线基板 输出信号 信号导线 参考电位 导线延伸方向 传输 正交 电路 输出 改进
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体芯片,包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、第一侧面、与所述第一侧面相对的第二侧面、在所述第一表面上形成的第一电极、以及在所述第一表面上形成的第二电极;以及

布线基板,包括在其上安装所述半导体芯片的第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面、沿着所述第一主表面在第一方向上延伸并且被定位在所述第一主表面与所述第二主表面之间的用于输出信号的第一导线、在所述第一方向上延伸并且在横截面视图中被定位成比所述第一导线更靠近所述主表面的用于输入信号的第二导线,

其中所述第一导线与所述半导体芯片的所述第一电极电连接,

其中所述第二导线与所述半导体芯片的所述第二电极电连接、并且所述第二导线在横截面视图中被定位在第一导体图案与第二导体图案之间,以及

其中当导线横截面积被定义为所述第一导线和所述第二导线中的每个导线在正交于所述第一方向的第二方向上的横截面积时,所述第二导线的导线横截面积小于所述第一导线的导线横截面积。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中在所述横截面视图中所述第一导体图案被定位在所述第一导线与所述第二导线之间,以及

其中在所述横截面视图中所述第二导体图案被定位在所述第一主表面与所述第二导线之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,

其中第三导体图案被定位在所述布线基板的所述第一主表面与所述第二导体图案之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述第一导体图案和所述第二导体图案被供应有参考电位,以及

其中所述第三导体图案被供应有第一电位。

5.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片的所述第一电极被定位在所述半导体芯片的所述第一表面的中心部分与所述半导体芯片的所述第一侧面之间,

其中所述半导体芯片的所述第二电极被定位在所述半导体芯片的所述第一电极与所述半导体芯片的所述第一侧面之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片的所述第一表面面对所述布线基板的所述第一主表面,以及

其中多个外部电极被形成在所述布线基板的所述第二主表面上。

7.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片包括用于在所述第一表面上形成的输出信号的第三电极,以及用于在所述第一表面上形成的输入信号的第四电极,

其中所述布线基板包括用于在第一布线层中形成的输出信号的第三导线,以及用于在第二布线层中形成的输入信号的第四导线,所述第一导线在所述第一布线层中被形成,所述第二导线在第二布线层中被形成,

其中所述第三导线与所述第三电极电连接,以及

其中所述第四导线与所述第四电极电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,

其中所述第一导线和所述第三导线被并排地定位,以及

其中所述第二导线和所述第四导线被并排地定位。

9.根据权利要求8的半导体器件,

其中所述半导体芯片的所述第三电极被定位在所述半导体芯片的所述第一表面的中心部分与所述半导体芯片的所述第一侧面之间,

其中所述半导体芯片的所述第四电极被定位在所述半导体芯片的所述第三电极与所述半导体芯片的所述第一侧面之间。

10.根据权利要求8所述的半导体器件,

其中一对所述第一导线和所述第三导线是第一差分对,以及

其中一对所述第二导线和所述第四导线是第二差分对。

11.根据权利要求9所述的半导体器件,

其中一对所述第一电极和所述第三电极是第一差分对,以及

其中一对所述第二电极和所述第四电极是第二差分对。

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