[发明专利]一种存储单元及其构建方法和静态随机存储器

权利要求书

1.一种用于静态随机存储器的存储单元，所述存储单元包括：第一传输晶体管(M7)、第一反相器、第二传输晶体管(M8)、以及第二反相器；所述第一传输晶体管(M7)、第一反相器、以及第二传输晶体管(M8)依次串联，所述第二传输晶体管(M8)、第二反相器、第一传输晶体管(M7)依次串联；

所述第一反相器包括至少三个晶体管，所述第一反相器的至少三个晶体管串联后的一端连接电源的正极，所述第一反相器的至少三个晶体管串联后的另一端连接地线；

所述第二反相器包括至少三个晶体管，所述第二反相器的至少三个晶体管串联后的一端连接所述电源的正极(VDD)，所述第二反相器的至少三个晶体管串联后的另一端连接所述地线(Vss)。

2.如权利要求1所述的存储单元，所述第一反相器包括至少三个晶体管，具体为：

所述第一反相器包括第一NMOS晶体管(M1)、第一PMOS晶体管(M2)、以及第二PMOS晶体管(M3)；

所述第二反相器包括至少三个晶体管，具体为：

所述第二反相器包括第二NMOS晶体管(M4)、第三PMOS晶体管(M5)、以及第四PMOS晶体管(M6)；

其中所述第二PMOS晶体管(M2)的源极、第四PMOS晶体管(M6)的源极与所述电源的正极(VDD)电连接，所述第二PMOS晶体管(M3)的漏极与所述第一PMOS晶体管(M2)的源极电连接，所述第四PMOS晶体管(M6)的漏极与所述第三PMOS晶体管(M5)的源极电连接。

3.如权利要求2所述的存储单元，所述第一传输晶体管(M7)包括第一传输NMOS晶体管(M7)，所述第一传输NMOS晶体管(M7)的源极、第一NMOS晶体管(M1)的源极、第一PMOS晶体管(M2)的漏极、第二NMOS晶体管(M4)的栅极、第三PMOS晶体管(M5)的栅极、第四PMOS晶体管(M6)的栅极电连接，形成所述SRAM存储单元的第一存储节点(Q)。

4.如权利要求3所述的存储单元，所述第二传输晶体管(M8)包括第二传输NMOS晶体管(M8)，所述第二传输NMOS晶体管(M8)的源极、第二NMOS晶体管(M4)的源极、第三PMOS晶体管(M5)的漏极、第一NMOS晶体管(M1)的栅极、第一PMOS晶体管(M2)的栅极、第二PMOS晶体管(M3)的栅极电连接，形成所述SRAM存储单元的第二存储节点(Qn)。

5.如权利要求4所述的存储单元，所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极以及所述第二NMOS晶体管(M4)的漏极与所述地线(Vss)电连接，所述第一NMOS传输晶体管(M7)的栅极和所述第二NMOS传输晶体管(M8)的栅极与字线(WL)电连接；所述第一NMOS传输晶体管(M7)的漏极与第一位线(BL)电连接，所述第二NMOS传输晶体管(M8)的漏极与第二位线(BLB)电连接。

6.一种静态随机存储器，设置有如权利要求1-5中任一项所述的存储单元。

7.一种构建用于静态随机存储器的存储单元的方法，其中所述存储单元包括：第一传输晶体管(M7)、第一反相器、第二传输晶体管(M8)、以及第二反相器，

所述方法包括：将所述第一传输晶体管(M7)、第一反相器、以及第二传输晶体管(M8)依次串联；将所述第二传输晶体管(M8)、第二反相器、第一传输晶体管(M7)依次串联；

在第一反相器中设置至少三个晶体管，并且促使所述第一反相器中的至少三个晶体管串联后的一端连接电源的正极，促使所述第一反相器中的至少三个晶体管串联后的另一端连接地线；以及

在第二反相器设置至少三个晶体管，促使所述第二反相器中的至少三个晶体管串联后的一端连接所述电源的正极(VDD)，促使所述第二反相器中的至少三个晶体管串联后的另一端连接所述地线(Vss)。