[发明专利]非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件，包括：

存储器单元阵列，被配置为将针对所述非易失性存储器器件的初始化信息存储在连接到多个字线的存储器单元中；

控制电路，被配置为在读取所述初始化信息的初始化信息读取操作中，控制向选定字线施加第一读取电压，并且控制向未选字线施加第二读取电压；以及

电压产生器，被配置为响应于在所述初始化信息读取操作中从所述控制电路提供的电压控制信号，降低源电压以产生所述第二读取电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述存储器单元是存储1比特数据的单级单元。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器器件，其中，所述第一读取电压被设置为具有用于区分所述单级单元的擦除状态和编程状态的电压电平。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器器件，其中，所述第一读取电压被设置为接地电压。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述控制电路被配置为检测加电以产生所述电压控制信号。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述电压产生器被配置为响应于所述电压控制信号而不允许对所述源电压进行泵浦。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述电压产生器包括：

电压分压器，包括串联连接在所述源电压和接地电压之间的多个电阻器，所述电压分压器被配置为在所述多个电阻器中的每一个电阻器的两端处产生分电压；以及

选择器，被配置为响应于所述电压控制信号输出所述分压之一作为所述第二读取电压。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述电压产生器包括：

第一电阻器，连接在所述源电压和输出所述第二读取电压的节点之间；

多个电阻器，串联连接在所述节点和接地电压之间；以及

跨接在所述多个电阻器上的多个晶体管，所述电压控制信号作为比特信息提供给所述多个晶体管中的每个晶体管的栅极。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述电压产生器包括：

第一电阻器，连接在所述源电压和输出所述第二读取电压的节点之间；

多个电阻器，并联连接在所述节点和接地电压之间；以及

跨接在所述多个电阻器上的多个晶体管，所述电压控制信号作为比特信息提供给所述多个晶体管中的每个晶体管的栅极。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，还包括：设置寄存器，存储通过所述初始化信息读取操作读取的所述初始化信息。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件，其中，所述初始化信息包括与禁止或允许对所述存储器单元阵列执行的编程操作或擦除操作有关的保护信息、用于在所述非易失性存储器器件的编程操作模式、读取操作模式或擦除操作模式下修整操作电压电平的修整数据、用于修复所述非易失性存储器器件的故障位线的列修复信息、或标识所述非易失性存储器器件的不良存储器单元的不良存储块信息。

12.一种非易失性存储器器件的读取方法，所述读取方法包括：

检测加电；

响应于检测到的加电，读取所述非易失性存储器器件的存储器单元中存储的、针对所述非易失性存储器器件的初始化信息；以及

当读取所述初始化信息时，

产生第一读取电压，所述第一读取电压要被提供给连接到所述存储器单元的多个字线中的选定字线，以及

产生第二读取电压，所述第二读取电压要被提供给连接到所述存储器单元的所述多个字线中的未选字线，

其中，通过降低源电压来产生所述第二读取电压。