[发明专利]非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法

说明书

公开了一种从非易失性存储器器件读取初始化信息的方法。在该方法中，当检测到加电时，非易失性存储器器件对源电压进行分压，以产生要在初始化信息读取操作中向未选字线提供的低读取通过电压。低读取通过电压被设置为在接地电压和源电压之间的至少一个电压。非易失性存储器器件允许基于加电在初始化信息读取操作中不对源电压进行泵浦。在初始化信息读取操作中，非易失性存储器器件向未选字线提供低读取通过电压，并且向选定字线提供读取电压，以读取存储器单元中存储的初始化信息。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0042921的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种非易失性存储器器件，更具体地，涉及一种非易失性存储器器件、电压产生方法、读取方法、以及各自均包括非易失性存储器器件在内的存储器系统和电子设备，这可以减少在执行针对非易失性存储器器件的初始化信息读取操作时的消耗电流。

背景技术

固态驱动器(SSD)是高性能和高速存储设备，可以将数据存储在非易失性存储器器件中。非易失性存储器快速(NVMe)是一种针对访问SSD而优化的超高速数据发送标准，NVMe正在应用于SSD。NVMe提供对外围组件互连快速(PCIe)接口中配备的存储设备(或非易失性存储器器件)的直接输入/输出(I/O)访问。

施加于包括存储设备和主机在内的存储系统的内容量正在增加。因此，对大容量存储设备的要求不断增加。NVMe SSD是大容量存储设备，每个NVMe SSD包括多个非易失性存储器器件，而每个非易失性存储器器件又包括闪存单元。结构上NVMe(NVMe-oF)是基于NVMe SSD的存储阵列，并且可以扩展成能够以大规模并行方式进行通信的结构(fabrics)。

在非易失性存储器器件中，包括产品内容在内的初始化信息可以存储在NAND闪存单元中，并且可以在向设备供电的引导操作中被读取。当NVMe SSD或NVMe-oF中包括的非易失性存储器器件的数量显著增加时，读取初始化信息所需的非易失性存储器器件的数量增加，并且由此，基于初始化信息读取操作的消耗电流和消耗电流峰值增加。

发明内容

本发明构思提供了一种非易失性存储器器件、电压产生方法、读取方法、以及各自均包括非易失性存储器器件在内的存储器系统和电子设备，这可以减少在执行初始化信息读取操作时的消耗电流。

根据本发明构思的一方面，提供了一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，被配置为将针对所述非易失性存储器器件的初始化信息存储在连接到多个字线的存储器单元中；控制电路，被配置为：在读取所述初始化信息的初始化信息读取操作中，控制向选定字线施加第一读取电压，并且控制向未选字线施加第二读取电压；以及电压产生器，被配置为响应于在所述初始化信息读取操作中从所述控制电路提供的电压控制信号，降低源电压以产生所述第二读取电压。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器系统，包括至少一个非易失性存储器器件和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器器件的存储器控制器，其中，至少一个非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，被配置为将针对所述非易失性存储器器件的初始化信息存储在连接到多个字线的存储器单元中；控制电路，被配置为在读取所述初始化信息的初始化信息读取操作中，控制向选定字线施加第一读取电压，并且控制向未选字线施加第二读取电压；以及电压产生器，被配置为响应于在所述初始化信息读取操作中从所述控制电路提供的电压控制信号，降低源电压以产生所述第二读取电压。