[发明专利]晶体管结构及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

刻蚀所述第一区域的基底，形成第一衬底和多个分立于所述第一衬底上的第一鳍部，相邻所述第一鳍部之间为第一凹槽；

刻蚀所述第二区域的基底，形成第二衬底和多个分立于所述第二衬底上的第二鳍部，相邻所述第二鳍部之间为第二凹槽；所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度；

在位于所述第二鳍部之间的所述第二凹槽的底面掺杂离子，所述掺杂离子的类型与所述晶体管的掺杂类型相反；

掺杂离子后，在所述第一凹槽和第二凹槽中形成隔离层。

2.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽的底面掺杂离子的步骤包括：采用离子注入的方式在所述第二凹槽的底面掺杂离子。

3.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管，所述掺杂的离子包括磷、砷或锑；或者，所述晶体管为NMOS晶体管，所述掺杂的离子包括硼、镓或铟。

4.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子工艺参数包括：注入剂量为1.0E13原子每平方厘米至2.0E14原子每平方厘米，注入能量为15KeV至60KeV，离子注入方向与法线的角度为0度至15度。

5.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽和第二凹槽中形成隔离层的步骤包括：

在所述第一凹槽中形成第一隔离层；在所述第二凹槽中形成第二隔离层，所述第二隔离层的致密度高于所述第一隔离层的致密度。

6.如权利要求5所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料为氧化硅，所述第二隔离层的材料为氮化硅。

7.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，先形成所述第二凹槽，后形成所述第一凹槽；或者，先形成第一凹槽，后形成第二凹槽。

8.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步骤包括：

形成覆盖所述基底的掩膜材料层，在所述掩膜材料层上形成多个分立的核心层；

形成覆盖所述核心层侧壁的掩膜侧墙；

在所述核心层和掩膜侧墙露出的掩膜材料层上形成掩膜保护层；

在所述掩膜侧墙上形成露出所述第二区域的遮挡层；

以所述遮挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二凹槽；

形成所述第二凹槽后，去除所述遮挡层、核心层以及掩膜保护层；形成所述第一凹槽的步骤包括：

在所述第二凹槽中形成凹槽保护层；

以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述第一区域的基底，形成所述第一凹槽；

所述晶体管结构的形成方法包括：在形成所述第一凹槽后，去除所述凹槽保护层。

9.如权利要求8所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽保护层的材料为底部抗反射涂层、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度为600埃米至900埃米。

11.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为1000埃米至1500埃米。

12.如权利要求1所述的晶体管结构的形成方法，其特征在于，在形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括功函数层。