[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括包含Ti的介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

其中，所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界，并且

其中，所述介电层包括：

第一辅助成分，包含含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第一辅助成分的含量为0.05mol％至2.0mol％；

第二辅助成分，包含含有Mg的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第二辅助成分的含量为0.0mol％至2.0mol％；

第三辅助成分，包含含有Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第三辅助成分的含量为0.0mol％至4.0mol％；

第四辅助成分，包含含有Ba的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第四辅助成分的含量为0.0mol％至4.15mol％；

第五辅助成分，包含含有Ca和Zr中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第五辅助成分的含量为0.0mol％至20.0mol％；以及

第六辅助成分，包含含有Si和Al中的至少一种的氧化物或含有Si的玻璃化合物，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第六辅助成分的含量为0.0mol％至4.0mol％，

其中，所述晶界中的Si/Ti摩尔比满足15％至40％，并且

其中，所述第一内电极的厚度和所述第二内电极的厚度为0.4μm或更小。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界的厚度为0.2nm至5nm。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界的厚度为1.5nm至5nm。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒具有核-壳结构。

6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述介电晶粒中，Si/Ti摩尔比从所述核朝向所述壳和所述晶界增加。

7.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述核中的Si/Ti摩尔比小于1％。

8.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述壳中的Si/Ti摩尔比小于5％且大于1％。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷主体包括：有效部分以及分别设置在所述有效部分的上部和下部上的覆盖部分，所述有效部分包括设置成彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的所述介电层。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，包括在所述覆盖部分中的所述介电层中的所述介电晶粒的所述晶界的Si/Ti摩尔比高于包括在所述有效部分中的所述介电层中的所述介电晶粒的所述晶界的Si/Ti摩尔比。

11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，包括在所述覆盖部分中的所述介电层中的所述介电晶粒的所述晶界的Si/Ti摩尔比为15％至50％。

12.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括包含Ti的介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

其中，所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界，并且

其中，所述介电层包括：

第一辅助成分，包含含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第一辅助成分的含量为0.05mol％至2.0mol％；

第二辅助成分，包含含有Mg的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第二辅助成分的含量为0.0mol％至2.0mol％；

第三辅助成分，包含含有Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第三辅助成分的含量为0.0mol％至4.0mol％；

第四辅助成分，包含含有Ba的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第四辅助成分的含量为0.0mol％至4.15mol％；

第五辅助成分，包含含有Ca和Zr中的至少一种的氧化物或碳酸盐，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第五辅助成分的含量为0.0mol％至20.0mol％；以及

第六辅助成分，包含含有Si和Al中的至少一种的氧化物或含有Si的玻璃化合物，基于包含在所述介电层中的100mol％的Ti，所述第六辅助成分的含量为0.0mol％至4.0mol％，

其中，所述晶界中的Si/Ti摩尔比满足15％至40％，并且

其中，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。