[发明专利]多层陶瓷电容器

说明书

本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在陶瓷主体的外表面上并分别电连接到第一内电极和第二内电极。介电层包括介电晶粒，在介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界，并且晶界中的Si/Ti摩尔比满足15％至40％。

本申请要求于2018年8月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0092878号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种能够提高可靠性的多层陶瓷电容器。

背景技术

通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)包括利用陶瓷材料制成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。

近来，随着电子产品的小型化和多功能化，片式组件也趋向于小型化和多功能化。因此，需要制造小尺寸和高电容的多层陶瓷电容器。

作为同时实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容的方法，可通过减小介电层和电极层的厚度在多层陶瓷电容器中堆叠大量的介电层和电极层。目前，介电层的厚度为约0.6μm，并且介电层已不断发展以具有更薄的厚度。

根据如上所述的多层陶瓷电容器的小型化，加速了薄膜的介电层中的介电击穿，并且难以确保可靠性。

为了解决这些问题，已经进行了对介电组合物的研究，而对介电晶界的组合物和微结构控制的研究还不充分。

薄膜的介电层中的介电晶粒劣化的原因在于：当在介电晶粒中形成的氧空位朝向带负电的电极(-电极)移动并在负电极(-电极)的界面处累积时，晶界的活化能降低并发生隧穿。

可通过增加晶界的绝缘电阻来改善可靠性，以防止介电晶粒的劣化并增加绝缘电阻。因此，需要研究晶界。

发明内容

本公开的一方面可提供一种能够提高可靠性的多层陶瓷电容器。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电容器可包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置成彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述介电层可包括介电晶粒，所述介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间可存在晶界，并且所述晶界中的Si/Ti摩尔比可满足15％至40％。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；

图2是沿图1的I-I'线截取的截面图；

图3是图2的区域P的放大图；

图4是根据本公开的比较示例1的透射电子显微镜(TEM)分析图像；

图5是根据本公开的发明示例的透射电子显微镜(TEM)分析图像；

图6是根据本公开的发明示例的扫描电子显微镜(SEM)分析图像；以及

图7是根据本公开的比较示例1的扫描电子显微镜(SEM)分析图像。

具体实施方式

在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图。

图2是沿图1的I-I'线截取的截面图。