[发明专利]P型背接触型太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述P型背接触型太阳能电池包括：

P型半导体衬底，所述P型半导体衬底具有相反的正面以及背面；

设置在所述背面上的多个N+型半导体结构，所述N+型半导体结构间隔排布；

设置在所述背面上的第一电极，所述第一电极位于所述N+型半导体结构之间，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构；

设置在所述N+型半导体结构背离所述P型半导体衬底一侧表面的第二电极；

其中，在平行于所述背面的方向上，所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构交替排布。

2.根据权利要求1所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述N+型半导体结构为N型重掺杂的多晶硅层或是为N型重掺杂的非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述N+型半导体结构与所述背面之间设置有隧穿氧化层。

4.根据权利要求3所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度范围是0.5nm-2nm。

5.根据权利要求1所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述第一电极与所述背面接触。

6.根据权利要求1所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为Al电极。

7.根据权利要求1所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，还包括：覆盖所述正面的正面钝化减反射膜以及覆盖所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构的背面钝化减反射膜；

其中，所述背面钝化减反射膜露出所述第一电极以及所述第二电极。

8.一种制作方法，用于制作如权利要求1-7任一项所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一P型半导体衬底，所述P型半导体衬底具有相反的正面以及背面；

在所述背面形成多个N+型半导体结构，所述N+型半导体结构间隔排布；

制备第一电极以及第二电极；在所述背面形成第一电极，所述第一电极位于所述N+型半导体结构之间，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构；在所述N+型半导体结构背离所述P型半导体衬底一侧表面形成第二电极；

其中，在平行于所述背面的方向上，所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构交替排布。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述背面形成多个N+型半导体结构包括：

在所述背面形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层表面形成N型重掺杂的多晶硅层或是为N型重掺杂的非晶硅层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度范围是0.5nm-2nm。