[发明专利]P型背接触型太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种P型背接触型太阳能电池及其制作方法，在P型半导体衬底的背面上设置多个N+型半导体结构，在N+型半导体结构之间设置第一电极，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构，无需对P型半导体衬底进行磷扩散以及硼扩散，即可在背面形成交替排布的N+型半导体结构与P+半导体结构，制作工艺简单，制作成本低。将第一电极以及第二电极均设置在背面，正面无需设置电极，从而避免了正面设置电极对光造成的反射问题，提高了光的利用率，进而提高了光电转换效率。而且位于背面上的N+型半导体结构相对于传统通过扩散形成于背面内的P+掺杂区，具有更好的表面钝化效果，可以进一步提高光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的说，涉及一种P型背接触型太阳能电池及其制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们日常生活中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电能是维持电子设备正常工作的前提条件。随着人类社会的不断进步，各种电子设备对电能的需求也越来越大，能源危机导致的电能短缺是当今人们不得不面对的一个重大难题。

太阳能电池可以利用太阳能发电，是解决能源危机的一个重要发展方向。常规太阳能电池在半导体衬底相反的正面和背面内分别形成P+掺杂区和N+掺杂区，然后在掺杂区表面形成钝化层和金属电极。正面为受光面，正面的金属电极势必会反射一部分入射正面的光线，导致光的利用率降低，电池的光电转换效率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明技术方案提供了一种P型背接触型太阳能电池及其制作方法，提高了光电转换效率。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种P型背接触型太阳能电池，所述P型背接触型太阳能电池包括：

P型半导体衬底，所述P型半导体衬底具有相反的正面以及背面；

设置在所述背面上的多个N+型半导体结构，所述N+型半导体结构间隔排布；

设置在所述背面上的第一电极，所述第一电极位于所述N+型半导体结构之间，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构；

设置在所述N+型半导体结构背离所述P型半导体衬底一侧表面的第二电极；

其中，在平行于所述背面的方向上，所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构交替排布。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，所述N+型半导体结构为N型重掺杂的多晶硅层或是为N型重掺杂的非晶硅层。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，所述N+型半导体结构与所述背面之间设置有隧穿氧化层。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，所述隧穿氧化层的厚度范围是0.5nm-2nm。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，所述第一电极与所述背面接触。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，所述第一电极为Al电极。

优选的，在上述P型背接触型太阳能电池中，还包括：覆盖所述正面的正面钝化减反射膜以及覆盖所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构的背面钝化减反射膜；

其中，所述背面钝化减反射膜露出所述第一电极以及所述第二电极。

本发明还提供了一种制作方法，用于制作上述任一项所述的P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一P型半导体衬底，所述P型半导体衬底具有相反的正面以及背面；

在所述背面形成多个N+型半导体结构，所述N+型半导体结构间隔排布；