[发明专利]乙硅烷的制备装置

权利要求书

1.一种乙硅烷制备装置，其特征在于，所述乙硅烷制备装置包括：

过滤单元(10)，所述过滤单元(10)设置有多晶硅残液入口和滤液出口；

精馏单元(20)，所述精馏单元(20)设置有滤液入口和氯代乙硅烷出口，所述滤液入口与所述滤液入口经滤液输送管路相连通；

还原单元(30)，所述还原单元(30)设置有加料口，所述加料口与所述氯代乙硅烷出口经氯代乙硅烷输送管路相连通，所述加料口也用于加入还原剂。

2.根据权利要求1所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述精馏单元(20)包括：

第一精馏装置(21)，所述第一精馏装置(21)设置有所述滤液入口和除钛试剂入口及第一塔顶产物出口；及

第二精馏装置(22)，所述第二精馏装置(22)设置有第一塔顶产物入口和所述氯代乙硅烷出口，所述第一塔顶产物出口与所述第一塔顶产物入口相连通。

3.根据权利要求2所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述精馏单元(20)还包括除钛试剂供应装置(23)，所述除钛试剂供应装置(23)用于向所述第一精馏装置(21)提供除钛试剂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述过滤单元(10)包括至少一个过滤装置，且将所述过滤装置的数量记为N，当N＝1时，所述过滤装置设置有所述多晶硅残液入口和所述滤液出口，当N＞1时，N个所述过滤装置顺次连通，且按物料流动顺序位于第1个的所述过滤装置设置有所述多晶硅残液入口，位于第N个的所述过滤装置设置有所述滤液出口。

5.根据权利要求4所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述过滤装置设置有过滤孔，所述孔的直径为0.5～1μm。

6.根据权利要求1所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述还原单元(30)包括：

还原剂供应装置(31)，所述还原剂供应装置(31)设置有还原剂供应口；

还原装置(32)，所述还原装置(32)设置有所述加料口，所述加料口与所述还原剂供应口相连通；

加热装置，所述加热装置用于控制所述还原装置(32)中的反应温度。

7.根据权利要求6所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述还原单元(30)还包括：

有机溶剂供应装置(33)，所述有机溶剂供应装置(33)设置有有机溶剂入口，所述有机溶剂入口与所述加料口相连通；

保护气供应装置(34)，所述保护气供应装置(34)设置有保护气供应口，所述保护气供应口与所述加料口相连通；

催化剂供应装置(35)，所述催化剂供应装置(35)设置有催化剂供应口与所述加料口相连通。

8.根据权利要求6或7所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述还原装置(32)为微通道反应器。

9.根据权利要求6或7所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述还原装置(32)还设置有还原产物体系出口，所述乙硅烷制备装置还包括提纯单元(40)，所述提纯单元(40)设置有还原产物体系入口，所述还原产物体系入口与所述还原产物体系出口相连通，用于对还原产物体系进行提纯。

10.根据权利要求9所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述提纯单元(40)包括：

第三精馏装置(41)，所述第三精馏装置(41)设置有所述还原产物体系入口、第三精馏塔顶产物出口；

第四精馏装置(42)，所述第四精馏装置(42)设置有所述第三精馏塔顶产物入口和第四精馏塔底产物出口，所述第三精馏塔顶产物入口与所述第三精馏塔顶产物出口相连通。

11.根据权利要求10所述的乙硅烷制备装置，其特征在于，所述提纯单元(40)包括第五精馏装置(43)，所述第五精馏装置(43)设置有第四精馏塔底产物入口和第五精馏塔底产物出口，所述第四精馏塔底产物入口与所述第四精馏塔底产物出口。