[发明专利]漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法有效

专利信息
申请号: 201811595638.9 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN111435154B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 邓龙利;刘铭 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52;G01R31/56
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 漏电 检测 电路 闪存 存储器 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种漏电检测电路,其特征在于,所述漏电检测电路包括:第一电流镜单元、第二电流镜单元、参考电流产生单元、第三电流镜单元和比较单元;

所述第一电流镜单元的输入端作为所述漏电检测电路的输入端,所述第一电流镜单元的输出端与所述第二电流镜单元的输入端电连接,所述第一电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;

所述第二电流镜单元的输出端与所述第三电流镜单元的输入端电连接,所述第二电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;

所述参考电流产生单元的输入端与第一电源电连接,所述参考电流产生单元的输出端与所述第三电流镜单元的输入端电连接;

所述第三电流镜单元的输出端与所述比较单元的第一输入端电连接,所述第三电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;

所述比较单元的第二输入端用于输入参考信号,所述比较单元的输出端作为所述漏电检测电路的输出端;

所述比较单元对第一输入端的输入电流进行积分之后再与参考信号进行比较;

所述第一电流镜单元的电压端,第二电流镜单元的电压端和第三电流镜单元的电压端,根据电流镜的类型连接正电压或接地;

所述参考电流产生单元根据第一电源的电压值产生不同的参考电流值,以设置不同的检测标准;

所述第一电源接入所述参考电流产生单元时开始计时,直至所述比较单元的输出端输出翻转为高电平时结束计时,记录时间间隔为第一时间;

所述漏电检测电路的输入端接入待检测电路,若待检测电路有漏电电流,记录从漏电检测电路的输入端接入待检测电路至所述比较单元的输出端输出信号翻转所需的时间为第二时间;

所述第二时间不大于第一时间时,则所述待检测电路有漏电故障;若第二时间大于第一时间,则所述检测电路的漏电电流属于正常范围。

2.根据权利要求1所述的漏电检测电路,其特征在于,还包括:公共电流产生单元,所述公共电流产生单元的输入端与第二电源电连接,所述公共电流产生单元的输出端与所述第一电流镜单元的输入端电连接。

3.根据权利要求1所述的漏电检测电路,其特征在于,所述第一电流镜单元采用PMOS共源共栅型电流镜,所述第二电流镜单元采用NMOS基本电流镜,所述第三电流镜采用PMOS基本电流镜。

4.根据权利要求2所述的漏电检测电路,其特征在于,所述参考电流产生单元包括第一晶体管,所述第一晶体管的控制极作为所述参考电流产生单元的输入端,所述第一晶体管的第一极作为所述参考电流产生单元的输出端,所述第一晶体管的第二极接地;

所述第一晶体管采用NMOS管。

5.根据权利要求2所述的漏电检测电路,其特征在于,所述公共电流产生单元包括第二晶体管,所述第二晶体管的控制极作为所述公共电流产生单元的输入端,所述第二晶体管的第一极作为所述公共电流产生单元的输出端,所述第二晶体管的第二极接地;

所述第二晶体管采用NMOS管。

6.根据权利要求1所述的漏电检测电路,其特征在于,所述比较单元包括电阻、积分电容和比较器,所述电阻的第一端作为所述比较单元的第一输入端,所述电阻的第二端接地;

所述比较器的第一输入端与所述电阻的第一端电连接,所述比较器的第二输入端作为所述比较单元的第二输入端,所述比较器的输出端作为所述比较单元的输出端;

所述参考信号为参考电压;

所述积分电容的第一端与所述电阻的第一端电连接,所述积分电容的第二端接地。

7.一种闪存存储器漏电检测装置,包括,权利要求1-6任一项所述的漏电检测电路和闪存存储器;

所述第一电流镜的电压端与所述闪存存储器的泵电压输出端电连接,所述漏电检测电路的输入端与所述闪存存储器的解码电路电连接。

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