[发明专利]漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法有效
申请号: | 201811595638.9 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN111435154B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 邓龙利;刘铭 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52;G01R31/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电 检测 电路 闪存 存储器 装置 方法 | ||
本发明公开了一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法,漏电检测电路包括:第一电流镜单元、第二电流镜单元、参考电流产生单元、第三电流镜单元和比较单元;第一电流镜单元的输入端作为漏电检测电路的输入端,第一电流镜单元的输出端与第二电流镜单元的输入端电连接;第二电流镜单元的输出端与第三电流镜单元的输入端电连接;参考电流产生单元的输入端与第一电源电连接,参考电流产生单元的输出端与第三电流镜单元的输入端电连接;第三电流镜单元的输出端与比较单元的第一输入端电连接;比较单元的第二输入端用于输入参考信号,比较单元的输出端作为所述漏电检测电路的输出端。方便高效的实现了对待检测电路的漏电检测。
技术领域
本发明实施例涉及漏电检测技术,尤其涉及一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法。
背景技术
随着半导体等技术的快速发展,对一些精密设备,如闪存存储器中的漏电电流检测具有十分重要的作用,通过漏电检测可及时标注出闪存存储器中的坏块,以防止数据写入坏块。
由于闪存存储器芯片尺寸越来越小,相应的字线与字线之间以及字线与基底之间间隔也较小,现有技术并不能对字线与子线之间以及字线与基底之间的漏电进行精确的检测。
发明内容
本发明提供一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法,以实现对精密设备漏电电流的精确检测。
第一方面,本发明实施例提供了一种漏电检测电路,所述漏电检测电路包括:第一电流镜单元、第二电流镜单元、参考电流产生单元、第三电流镜单元和比较单元;
所述第一电流镜单元的输入端作为所述漏电检测电路的输入端,所述第一电流镜单元的输出端与所述第二电流镜单元的输入端电连接,所述第一电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;
所述第二电流镜单元的输出端与所述第三电流镜单元的输入端电连接,所述第二电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;
所述参考电流产生单元的输入端与第一电源电连接,所述参考电流产生单元的输出端与所述第三电流镜单元的输入端电连接;
所述第三电流镜单元的输出端与所述比较单元的第一输入端电连接,所述第三电流镜单元的电压端用于输入偏置电压;
所述比较单元的第二输入端用于输入参考信号,所述比较单元的输出端作为所述漏电检测电路的输出端。
可选的,还包括:公共电流产生单元,所述公共电流产生单元的输入端与第二电源电连接,所述公共电流产生单元的输出端与所述第一电流镜单元的输入端电连接。
可选的,所述第一电流镜单元采用PMOS共源共栅型电流镜,所述第二电流镜单元采用NMOS基本电流镜,所述第三电流镜采用PMOS基本电流镜。
可选的,所述参考电流产生单元包括第一晶体管,所述第一晶体管的控制极作为所述参考电流产生单元的输入端,所述第一晶体管的第一极作为所述参考电流产生单元的输出端,所述第一晶体管的第二极接地。
可选的,所述公共电流产生单元包括第二晶体管,所述第二晶体管的控制极作为所述公共电流产生单元的输入端,所述第二晶体管的第一极作为所述公共电流产生单元的输出端,所述第二晶体管的第二极接地。
可选的,所述比较单元包括电阻、积分电容和比较器,所述电阻的第一端作为所述比较单元的第一输入端,所述电阻的第二端接地;
所述比较器的第一输入端与所述电阻的第一端电连接,所述比较器的第二输入端作为所述比较单元的第二输入端,所述比较器的输出端作为所述比较单元的输出端;
所述参考信号为参考电压;
所述积分电容的第一端与所述电阻的第一端电连接,所述积分电容的第二端接地。
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