[发明专利]一种高密度侧壁互联方法

权利要求书

1.一种高密度侧壁互联方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：

101）第一载板上表面处理步骤：在第一载板上表面通过刻蚀工艺均匀分布设置TSV孔，TSV孔深度小于第一载板厚度，在第一载板上表面通过沉积氧化硅、氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；通过电镀金属，使金属充满TSV孔，在200到500度温度下密化金属形成金属柱，通过CMP工艺去除第一载板上表面的金属；

在第一载板上表面的最上层通过光刻、电镀工艺在硅片表面制作RDL，还包括表面沉积氧化硅或氮化硅形成绝缘层，通过光刻、干法刻蚀工艺开窗，使RDL和金属柱的一端连接；通过光刻、电镀工艺在RDL上制作键合金属形成焊盘；

102）第一载板下表面处理步骤：对第一载板下表面减薄，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀工艺使金属柱另一端露出；第一载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅形成绝缘层，通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，使金属柱另一端露出；

第一载板下表面绝缘层上制作RDL，RDL与金属柱另一端连接；通过光刻、电镀工艺在第一载板下表面的RDL上制作键合金属；

103）第二载板上表面处理步骤：在第二载板上表面与第一载板相对应的位置处，通过刻蚀工艺设置TSV孔，TSV孔深度小于第二载板厚度；在第二载板上表面通过沉积氧化硅、氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；通过电镀金属，使金属充满TSV孔，在200到500度温度下密化金属形成金属柱，通过CMP工艺去除第二载板上表面的金属；通过光刻、电镀工艺在第二载板的上表面的最上层制作键合金属形成焊盘；

104）第二载板下表面处理步骤：对第二载板下表面减薄，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀工艺使金属柱另一端露出；第二载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅形成绝缘层，通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，使金属柱另一端露出；第二载板下表面绝缘层上制作RDL，RDL与金属柱另一端连接；

105）侧壁互联步骤：将第一载板与第二载板的上表面键合形成载板，对载板进行纵向切割，形成单一模组；单一模组的侧壁露出第一载板上表面RDL的侧面、第一载板上表面下表面RDL的侧面和第二载板下表面RDL的侧面，形成载板的焊盘；

RDL的互联线通过大马士革工艺嵌入在载板中；

在步骤101）或步骤102）或步骤104）中的RDL上覆盖绝缘层，绝缘层上开窗露出焊盘，焊盘开窗直径为10um到10000um； RDL采用的金属材料为铜、铝、镍、银、金、锡中的一种；RDL本身结构为一层或多层，厚度范围为10nm到1000um；

第一载板、第二载板的大小尺寸采用4、6、8、12寸中的一种，厚度范围为200um到2000um，材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种；

金属柱的材料采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种，金属柱本身结构为一层或多层；

键合温度在200到500度；

绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；种子层厚度范围在1nm到100um；种子层的材料采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或者多种；种子层本身结构为一层或多层。