[发明专利]一种高密度侧壁互联方法

说明书

本发明公开了一种高密度侧壁互联方法，具体处理包括101）第一载板上表面处理步骤、102）第一载板下表面处理步骤、103）第二载板上表面处理步骤、104）第二载板下表面处理步骤和105）侧壁互联步骤；本发明提供能竖立放置芯片的一种高密度侧壁互联方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种高密度侧壁互联方法。

背景技术

对于高频率的微系统，天线阵列的面积越来越小，且天线之间的距离要保持在某个特定范围，才能使整个模组具备优良的通信能力。但是对于射频芯片这种模拟器件芯片来讲，其面积不能像数字芯片一样成倍率的缩小，这样就会出现特高频率的射频微系统将没有足够的面积同时放置PA/LNA，需要把PA/LNA堆叠或者竖立放置。

对于竖立放置的芯片来讲，所有的金属互联都需要在其所在模块的侧壁完成，这就需要在模块的侧壁设置大量的焊接用的焊盘。传统制作焊盘的工艺都是在晶圆的表面，对于在芯片或者模组的侧壁制作焊盘，不具备此种能力。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供能竖立放置芯片的一种高密度侧壁互联方法。

本发明的技术方案如下：

一种高密度侧壁互联方法，具体处理包括如下步骤：

101）第一载板上表面处理步骤：在第一载板上表面通过刻蚀工艺均匀分布设置TSV孔，TSV孔深度小于第一载板厚度，在第一载板上表面通过沉积氧化硅、氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；通过电镀金属，使金属充满TSV孔，在200到500度温度下密化金属形成金属柱，通过CMP工艺去除第一载板上表面的金属；

在第一载板上表面的最上层通过光刻、电镀工艺在硅片表面制作RDL，还包括表面沉积氧化硅或氮化硅形成绝缘层，通过光刻、干法刻蚀工艺开窗，使RDL和金属柱的一端连接；通过光刻、电镀工艺在RDL上制作键合金属形成焊盘；

102）第一载板下表面处理步骤：对第一载板下表面减薄，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀工艺使金属柱另一端露出；第一载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅形成绝缘层，通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，使金属柱另一端露出；

第一载板下表面绝缘层上制作RDL，RDL与金属柱另一端连接；通过光刻、电镀工艺在第一载板下表面的RDL上制作键合金属；

103）第二载板上表面处理步骤：在第二载板上表面与第一载板相对应的位置处，通过刻蚀工艺设置TSV孔，TSV孔深度小于第二载板厚度；在第二载板上表面通过沉积氧化硅、氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；通过电镀金属，使金属充满TSV孔，在200到500度温度下密化金属形成金属柱，通过CMP工艺去除第二载板上表面的金属；通过光刻、电镀工艺在第二载板的上表面的最上层制作键合金属形成焊盘；

104）第二载板下表面处理步骤：对第二载板下表面减薄，通过研磨、湿法腐蚀和干法刻蚀工艺使金属柱另一端露出；第二载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅形成绝缘层，通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，使金属柱另一端露出；第二载板下表面绝缘层上制作RDL，RDL与金属柱另一端连接；

105）侧壁互联步骤：将第一载板与第二载板的上表面键合形成载板，对载板进行纵向切割，形成单一模组；单一模组的侧壁露出RDL的侧面，形成载板的焊盘。

进一步的，RDL的互联线通过大马士革工艺嵌入在载板中。

进一步的，在步骤101）或步骤102）或步骤104）中的RDL上覆盖绝缘层，绝缘层上开窗露出焊盘，焊盘开窗直径为10um到10000um； RDL采用的金属材料为铜、铝、镍、银、金、锡中的一种；RDL本身结构为一层或多层，厚度范围为10nm到1000um。