[发明专利]光产生器及使用其制造集成电路装置的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成光致抗蚀剂层；以及

通过使用包括光产生器的光刻设备将光致抗蚀剂层曝光于光，

其中，光产生器包括：

室，具有等离子体产生空间；

光学元件，位于室中；以及

残余物屏蔽组件，在室中位于光学元件与等离子体产生空间之间，

其中，残余物屏蔽组件包括：

保护膜，面对光学元件并与光学元件分隔开，保护膜与光学元件之间具有保护空间，保护空间包括光路；以及

保护框架，支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。

2.如权利要求1所述的方法，其中，保护膜具有位于保护膜的中心区域中的通孔。

3.如权利要求1所述的方法，其中，保护膜包括相对于具有1064nm的波长的激光束、具有10.6μm的波长的激光束和具有13.5nm的波长的极紫外光透明的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中，保护膜包括碳纳米管、金刚石、石墨、石墨烯、富勒烯或它们的组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，保护膜包括具有单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或它们的组合的碳纳米管膜。

6.如权利要求1所述的方法，其中，保护框架包括金属。

7.如权利要求1所述的方法，其中，保护框架包括：

支撑部分，与光学元件的边缘部分接触；以及

屏蔽部分，与支撑部分一体连接，屏蔽部分在支撑部分与保护膜之间延伸以将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。

8.如权利要求1所述的方法，其中，保护框架包括：

支撑部分，与光学元件的边缘部分接触；

屏蔽部分，在支撑部分与保护膜之间延伸以将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开；以及

外部固定部分，面对屏蔽部分，保护膜位于外部固定部分与屏蔽部分之间，外部固定部分与屏蔽部分配合支撑保护膜。

9.如权利要求8所述的方法，其中，保护框架还包括位于屏蔽部分与保护膜之间的第一缓冲膜和位于保护膜与外部固定部分之间的第二缓冲膜中的至少一个。

10.如权利要求8所述的方法，其中，屏蔽部分包括面对保护空间的椭圆形表面。

11.如权利要求8所述的方法，其中，屏蔽部分包括面对保护空间的反射面，反射面为椭圆形表面。

12.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成光致抗蚀剂层；以及

通过使用包括光产生器的光刻设备将光致抗蚀剂层曝光于光，

其中，光产生器包括：

室，具有等离子体产生空间；

聚光器，位于室中，聚光器具有反射面；以及

残余物屏蔽组件，在室中位于聚光器与等离子体产生空间之间，

其中，残余物屏蔽组件包括：

保护膜，与反射面分隔开，保护膜与反射面之间具有保护空间，保护膜面对反射面，保护空间包括光路；以及

保护框架，与聚光器的边缘部分接触并支撑保护膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中，保护膜具有形成在保护膜中的与光路对应的位置的通孔。

14.如权利要求12所述的方法，其中，保护框架包括：

支撑部分，与聚光器的边缘部分接触；

屏蔽部分，与支撑部分一体连接，并且具有位于支撑部分和保护膜之间的内表面，内表面面向保护空间；以及

外部固定部分，面对屏蔽部分，保护膜位于外部固定部分与屏蔽部分之间，外部固定部分与屏蔽部分配合支撑保护膜。