[发明专利]光产生器及使用其制造集成电路装置的方法

说明书

提供了一种包括残余物屏蔽组件的光产生器及使用其制造集成电路装置的方法，所述光产生器包括：室，具有等离子体产生空间；光学元件，位于室中；以及残余物屏蔽组件，在室中位于光学元件与等离子体产生空间之间，残余物屏蔽组件包括保护膜和保护框架，保护膜覆盖光学元件并与光学元件分隔开，保护膜与光学元件之间具有保护空间，保护空间包括光路，保护框架支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。

于2018年5月17日在韩国知识产权局提交且发明名称为“包括残余物屏蔽组件的光产生器、包括该光产生器的光刻设备及通过使用该光刻设备制造集成电路装置的方法”的第10-2018-0056689号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种光产生器、一种包括该光产生器的光刻设备以及一种通过使用该设备制造集成电路(IC)装置的方法，更具体地，涉及一种提供极紫外(EUV)光的光产生器、一种包括该光产生器的光刻设备以及一种通过使用该设备制造IC装置的方法。

背景技术

近来，根据半导体装置的高度集成，已经开发了用于形成精细图案的各种光刻技术。特别地，随着半导体装置的集成度增加，光致抗蚀剂图案的关键尺寸(CD)进一步减小。为了形成这种具有精细CD的光致抗蚀剂图案，可以采用EUV光作为光刻设备的光源。为了在光刻设备中产生EUV光，可以在真空室中将激光辐射到靶材上以将靶材转换成等离子体态。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种光产生器，所述光产生器包括：室，具有等离子体产生空间；光学元件，布置在室中；以及残余物屏蔽组件，在室中布置在光学元件与等离子体产生空间之间，其中，残余物屏蔽组件包括保护膜和保护框架，所述保护膜覆盖光学元件并与光学元件分隔开，保护膜与光学元件之间具有保护空间，所述保护空间包括光路，所述保护框架被构造为支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。

根据本公开的另一方面，提供了一种光产生器，所述光产生器包括：室，具有等离子体产生空间；聚光器，布置在室中并且具有反射面；以及残余物屏蔽组件，在室中布置在聚光器与等离子体产生空间之间，其中，残余物屏蔽组件包括：保护膜，设置为用位于保护膜与聚光器之间的包括光路的保护空间与聚光器的反射面分隔开，所述保护膜面对反射面；以及保护框架，与聚光器的边缘部分接触并支撑保护膜。

根据本公开的还一方面，提供了一种包括上述光产生器中的至少一种的光刻设备。

根据本公开的又一方面，提供了一种制造集成电路(IC)装置的方法，所述方法包括在基底上形成光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂层通过使用包括上述光产生器中的至少一种的光刻设备而曝光于光。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1示出了根据本公开的实施例的光产生器中的主要元件的示意图；

图2A示出了根据实施例的残余物屏蔽组件的示例构造的平面图；

图2B示出了沿着图2A中的线B-B'截取的剖视图；

图2C示出了在图2A和图2B中的残余物屏蔽组件中包括的保护膜的平面图；

图2D示出了在图2A和图2B中的残余物屏蔽组件中包括的外部固定部分的平面图；

图2E示出了在图2A和图2B中的残余物屏蔽组件中包括的第一缓冲膜的平面图；

图2F示出了在图2A和图2B的残余物屏蔽组件与聚光器连接在一起之前的状态；

图2G示出了图2A和图2B的残余物屏蔽组件与聚光器连接在一起的状态；

图3A示出了根据另一实施例的残余物屏蔽组件的平面图；