[发明专利]一种扇出型芯片封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811597639.7 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109671700A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 孙绪燕;陈峰;姚大平;林挺宇 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/482
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 玻璃载板 导电玻璃 布线层 芯片 通孔 芯片封装结构 钝化层 扇出型 塑封层 芯片电连接 金属表面 电连接 包覆 焊球 扇出 外接 贯穿 制造
【权利要求书】:

1.一种扇出型芯片封装结构,包括:

第一芯片;

玻璃载板,所述玻璃载板设置在所述第一芯片下方;

塑封层,所述塑封层设置在所述玻璃载板上方,包覆所述第一芯片;

导电玻璃通孔,所述导电玻璃通孔贯穿所述玻璃载板,且与所述第一芯片电连接;

重新布局布线层,所述重新布局布线层设置在所述玻璃载板的下方,与所述导电玻璃通孔电连接,从而实现对所述第一芯片的扇出功能。

钝化层,所述钝化层位于所述重新布局布线层的金属表面和间隙;以及

外接焊球。

2.如权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,还包括第二芯片,所述第二芯片与所述导电玻璃通孔、所述重新布局布线层以及所述外接焊球电连接。

3.如权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,还包括设置在所述玻璃载板与所述第一芯片和或所述塑封层之间的粘接层。

4.如权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述第一芯片的背面从所述塑封层露出或引出。

5.如权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述重新布局布线层具有N层金属层,其中N≥2。

6.如权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述重新布局布线层为通过大马士革工艺形成的金属层。

7.如权利要求1或6所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述钝化层的材料为无机绝缘材料或有机材料。。

8.一种扇出型芯片封装结构的制造方法,包括:

在第一芯片和第二芯片上分别形成第一焊接结构和第二焊接结构;

将第一芯片和第二芯片通过粘接层粘贴到玻璃载板上;

塑封形成重构芯片;

形成导电玻璃通孔;

形成重新布局布线层,所述重新布局布线层实现对第一芯片和第二芯片的扇出功能;以及

形成外接焊球。

9.如权利要求8所述的扇出型芯片封装结构的制造方法,其特征在于,所述形成重新布局布线层的方法为大马士革工艺。

10.一种扇出型芯片封装结构的制造方法,包括:

在第一芯片和第二芯片上生长铜柱;

对第一芯片和第二芯片进行塑封重构;

将重构后的芯片粘接到玻璃载板上;

形成导电玻璃通孔;

形成重新布局布线层;以及

形成外接焊球。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811597639.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top