[发明专利]一种扇出型芯片封装结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种扇出型芯片封装结构，包括：第一芯片；玻璃载板，所述玻璃载板设置在所述第一芯片下方；塑封层，所述塑封层设置在所述玻璃载板上方，包覆所述第一芯片；导电玻璃通孔，所述导电玻璃通孔贯穿所述玻璃载板，且与所述第一芯片电连接；重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述玻璃载板的下方，与所述导电玻璃通孔电连接，从而实现对所述第一芯片的扇出功能。钝化层，所述钝化层位于所述重新布局布线层的金属表面和间隙；以及外接焊球。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种扇出型芯片封装结构及其 制造方法。

背景技术

随着各种可穿戴类电子设备以及无源电子器件的需求增长，移动消费类客 户需要实现器件小型化和更高集成度。所以电子装置设备的集成度度越来越 高，系统级封装(SiP,System-in-Package)越来越多的应用到不同的领域。系 统级封装的优势在于可以将多颗异质芯片或器件，如有源无源器件或芯片、 MEMS或光学器件等集成组装到一起，实现特定功能的单个封装体，从而形成 一个系统或子系统。

目前的集成方式，主要是将前期封装好的器件或其他封好的异质芯片，通 过二次封装的方法集成到一个封装体中，达到高度集成的目的。该传统的方法， 成本高、工序繁多、精度有限，且体积较大。扇出型封装属于先进封装技术， 由于其不需要中介层(Interposer)、填充物(Underfill)与导线，并且省略黏晶、打 线等制程，大多采用在die表面或背面重新布线(Redistribution)与凸块(Bumping) 技术作为I/O布线手段，逐步占据了市场地位。

虽然扇出型封装有很多优点，如设计灵活、较好的电性能及热性能、高频 应用、高密度布线和成本更低。但目前现有的扇出型封装技术方案存在1)贴 片塑封后，通过临时键合的方式，解决翘曲对后续工艺的影响。这种方式工序 多，工艺相对较复杂，且容易造成碎片；2)通过常规的PI工艺和电镀工艺进 行RDL线路制作，但是线宽线距较大，不适合高端应用；3)贴片塑封后为了 进行后续工艺，对位标记需要重新制作，成本较高等缺点，限制了扇出型封装 技术的应用拓展。如何通过更简单的工艺和更低的成本，实现更细线路的制备，从而扩大高端应用，成了目前研究的热点。

针对现有扇出型封装存在的晶圆翘曲对后续工艺的影响且容易造成碎片； 通过常规的PI工艺和电镀工艺进行RDL线路制作，线宽、线距较大；以及成 本较高等问题，本发明提出了一种新型的扇出型芯片封装结构及其制造方法至 少部分的克服了上述问题。

发明内容

针对现有扇出型封装存在的晶圆翘曲对后续工艺的影响且容易造成碎片； 通过常规的PI工艺和电镀工艺进行RDL线路制作，线宽、线距较大；以及成 本较高等问题，根据本发明的一个方面，提供一种扇出型芯片封装结构，包括：

第一芯片；

玻璃载板，所述玻璃载板设置在所述第一芯片下方；

塑封层，所述塑封层设置在所述玻璃载板上方，包覆所述第一芯片；

导电玻璃通孔，所述导电玻璃通孔贯穿所述玻璃载板，且与所述第一芯片 电连接；

重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述玻璃载板的下方，与所 述导电玻璃通孔电连接，从而实现对所述第一芯片的扇出功能。

钝化层，所述钝化层位于所述重新布局布线层的金属表面和间隙；以及

外接焊球。

在本发明的一个实施例中，扇出型芯片封装结构还包括第二芯片，所述第 二芯片与所述导电玻璃通孔、所述重新布局布线层以及所述外接焊球电连接。

在本发明的一个实施例中，扇出型芯片封装结构还包括设置在所述玻璃载 板与所述第一芯片和或所述塑封层之间的粘接层。