[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的器件隔离膜，其中所述衬底的有源区域由所述衬底上的所述器件隔离膜限定，并且在水平方向上包含第一宽度；

在所述有源区域中的成对的源极/漏极区域；

在所述有源区域的位于所述成对的源极/漏极区域之间的部分之上的栅电极，所述栅电极在所述水平方向上包含第二宽度，所述第二宽度等于或小于所述有源区域的所述第一宽度；

绝缘间隔物，包括在所述器件隔离膜之上的第一间隔物部分和在所述有源区域之上的第二间隔物部分，其中所述第一间隔物部分和所述第二间隔物部分分别在所述栅极电极的第一侧壁和第二侧壁上；以及

绝缘膜，包括在所述有源区域与所述栅电极之间的栅极绝缘部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅电极被限制在所述有源区域的最上表面的边界内，使得所述栅电极的所述第一侧壁和所述第二侧壁不与所述器件隔离膜垂直地重叠。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述栅电极的所述第一侧壁包括在所述栅电极的沿所述水平方向的相反端处的成对的侧壁中的至少一个，以及

其中与所述第一侧壁对准的垂直轴线与所述器件隔离膜间隔开。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述栅电极的所述第一侧壁包括在所述栅电极的沿所述水平方向的相反端处的成对的侧壁中的至少一个，以及

其中分别与所述第一侧壁对准的垂直轴线与所述器件隔离膜和所述有源区域的顶表面之间的边界相交。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述第一间隔物部分的第一垂直长度小于所述第二间隔物部分的第二垂直长度，以及

其中所述第一间隔物部分一体地连接到所述第二间隔物部分。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述绝缘膜还包括：

第一延伸绝缘部分，一体地连接到所述栅极绝缘部分，并且介于所述第一间隔物部分与所述器件隔离膜之间；以及

第二延伸绝缘部分，一体地连接到所述栅极绝缘部分，并且介于所述第二间隔物部分与所述有源区域之间，以及

其中所述第一延伸绝缘部分的厚度不同于所述第二延伸绝缘部分的厚度。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述第一延伸绝缘部分的厚度大于所述第二延伸绝缘部分的厚度。

8.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述第一延伸绝缘部分的厚度基本上等于所述栅极绝缘部分的厚度。

9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述绝缘膜还包括台阶部分，所述台阶部分由所述栅极绝缘部分与所述第二延伸绝缘部分之间的过渡部限定。

10.根据权利要求6所述的集成电路器件，还包括：

层间电介质，在所述成对的源极/漏极区域和所述第二延伸绝缘部分上；以及

多个导电接触插塞，穿透所述层间电介质，并且电连接到所述成对的源极/漏极区域。