[发明专利]集成电路器件

说明书

提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的器件隔离膜。衬底的有源区域由衬底上的器件隔离膜限定，并在水平方向上具有第一宽度。栅电极在有源区域上，并在水平方向上具有等于或小于有源区域的第一宽度的第二宽度。该集成电路器件包括在器件隔离膜和有源区域之上的绝缘间隔物。

技术领域

本公开涉及集成电路器件，更具体地，涉及包括用于实现模拟半导体器件的栅电极的集成电路器件。

背景技术

随着集成电路器件的集成度随电子工业的发展而逐渐增加，提供提高集成电路器件在减小的区域内的可靠性的设计会是有益的。具体地，正在开发用于驱动诸如液晶显示装置(LCD)或等离子体显示板(PDP)的显示装置的显示驱动器集成电路(DDI)。DDI包括可以在大约8伏(V)到大约200V的高电压下工作的高压晶体管。诸如DDI的驱动器件中包括的高压晶体管可以具有改善的轻掺杂漏极(MLDD)结构、场轻掺杂漏极(FLDD)结构或双扩散漏极(DDD)结构。然而，具有此类结构的高压晶体管可能遭受驼峰现象。

发明内容

本发明构思提供了可以以高度减小的面积内的小/最小面积具有期望的性能并提供优异的可靠性的集成电路器件，因为该集成电路器件减小了高电压晶体管的占用面积，而且通过抑制/防止不期望的边缘沟道形成在高电压晶体管中的器件隔离区域与有源区域之间的界面附近而抑制/防止阈值电压的降低，因而抑制了驼峰现象。

根据本发明构思的一些实施方式，提供了一种集成电路器件，其包括衬底和在衬底上的器件隔离膜。衬底的有源区域可以由衬底上的器件隔离膜限定，并且可以在水平方向上具有第一宽度。该集成电路器件可以包括在有源区域中的成对的源极/漏极区域。该集成电路器件可以包括位于有源区域的在该成对的源极/漏极区域之间的部分之上的栅电极。栅电极可以在水平方向上具有等于或小于有源区域的第一宽度的第二宽度。该集成电路器件可以包括绝缘间隔物，该绝缘间隔物包括在器件隔离膜之上的第一间隔物部分和在有源区域之上的第二间隔物部分。第一间隔物部分和第二间隔物部分可以分别在栅电极的第一侧壁和第二侧壁上。该集成电路器件可以包括绝缘膜，该绝缘膜包括在有源区域与栅电极之间的栅极绝缘部分。

根据本发明构思的一些实施方式，提供了一种集成电路器件，其包括衬底，该衬底包括限定衬底的有源区域的沟槽区域。有源区域可以在第一水平方向上具有第一宽度。该集成电路器件可以包括在沟槽区域中的器件隔离膜。该集成电路器件可以包括在有源区域之上的栅电极。栅电极可以在第一水平方向上具有等于或小于有源区域的第一宽度的第二宽度。该集成电路器件可以包括在有源区域和器件隔离膜之上的绝缘间隔物。绝缘间隔物可以在栅电极的侧壁上。该集成电路器件可以包括在有源区域中的成对的源极/漏极区域。该成对的源极/漏极区域可以彼此间隔开。栅电极可以重叠有源区域的在该成对的源极/漏极区域之间的部分。该集成电路器件可以包括在有源区域和器件隔离膜上的绝缘膜。绝缘膜可以包括在有源区域与栅电极之间的栅极绝缘部分。在垂直于第一水平方向的垂直方向上延伸穿过有源区域的最上表面与器件隔离膜之间的边界的垂直轴线可以与栅电极的侧壁中的一个对准，或者可以延穿过绝缘间隔物。